| 发明名称 |
HOCHSPANNUNGS-LDD-MOSFET MIT ERHÖHTER DURCHBRUCHSPANNUNG UND HERSTELLUNGSVERFAHREN |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE69519016(D1) |
申请公布日期 |
2000.11.09 |
| 申请号 |
DE19956019016 |
申请日期 |
1995.08.10 |
| 申请人 |
NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP., SUNNYVALE |
发明人 |
BERGEMONT, M. |
| 分类号 |
H01L21/336;H01L27/092;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/78 |
主分类号 |
H01L21/336 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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