| 发明名称 |
Erhöhung des Kurzschlussstroms durch Benutzung einer n-Schicht mit grosser Bandlücke in p-i-n photovoltaischen Zellen aus amorphem Silizium |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE69033643(D1) |
申请公布日期 |
2000.11.09 |
| 申请号 |
DE1990633643 |
申请日期 |
1990.12.18 |
| 申请人 |
SOLAREX CORP., ROCKVILLE |
发明人 |
ARYA, RAJEEWA;CATALANO, ANTHONY W. |
| 分类号 |
H01L31/04;H01L31/0352;H01L31/075;H01L31/20;(IPC1-7):H01L31/075;H01L31/037;H01L31/035;H01L31/105 |
主分类号 |
H01L31/04 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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