| 摘要 |
<p>Die vorliegende Erfindung schafft ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit den Schritten: Bereitstellen eines Substrates (10); Aufbringen einer Schicht (50) aus oxidierbarem Material auf das Substrat (10); thermisches Aufoxidieren der Schicht (50) aus oxidierbarem Material; Vorsehen eines Spacers (70) über der Schicht (50) aus oxidierbarem Material; und thermisches Verdichten des Spacers (70). Der Spacer wird auf der Schicht (50) aus oxidierbarem Material vor dem Aufoxidieren aufgebracht, und das Aufoxidieren der Schicht (50) und das Verdichten des Spacers (70) werden in einem gemeinsamen Hochtemperaturschritt durchgeführt.</p> |
