| 发明名称 | 形成半导体装置的折射－金属－硅化物层的方法 | ||
| 摘要 | 一种形成半导体的高熔点金属的硅化物的方法,包括在掺杂杂质形成杂质扩散区步骤和退火使扩散层折射－金属－硅化步骤之间去除起到抑制扩散层折射－金属－硅化作用的高密度杂质区。扩散区的折射－金属－硅化反应能顺利进行,从而防止起始栅极耐压值的降低而具有较低的薄层电阻值。 | ||
| 申请公布号 | CN1272686A | 申请公布日期 | 2000.11.08 |
| 申请号 | CN00108279.5 | 申请日期 | 2000.04.28 |
| 申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 滨中信秋;井上显;三木郁 |
| 分类号 | H01L21/336;H01L21/8238;H01L21/3205;H01L21/283 | 主分类号 | H01L21/336 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 李悦 |
| 主权项 | 1.一种形成半导体装置的高熔点金属的硅化物的方法，包括步骤：把杂质离子掺杂进硅基片中以形成杂质掺杂区；热处理硅基片以在杂质掺杂区上形成氧化物层；使用碱性氧化剂溶液蚀刻氧化物层把氧化物层去除；热处理杂质掺杂区来扩散杂质离子以使杂质掺杂区形成杂质扩散区；在杂质扩散区上沉积高熔点金属以形成金属层；和热处理金属层使杂质扩散区折射-金属-硅化。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||