| 发明名称 |
METHOD OF STRUCTURING A METAL OR METAL-SILICIDE LAYER AND A CAPACITOR PRODUCED ACCORDING TO SAID METHOD |
| 摘要 |
Bei einem Verfahren zur Herstellung eines Hoch-Epsilon-Dielektrikum-/Ferroelektrikum-Kondensators wird eine Strukturierungsschicht (10) mit einer zentralen Basis-Schichtzone (11) und einem diese seitlich umgebenden, mit Si-gefüllten Graben (13) erzeugt. Darüber wird eine Metallschicht (14) abgelagert und über den Si-gefüllten Graben (13) silizidiert. Durch Oxidieren des silizidierten Metallschichtabschnitts (18) wandert dieser in den Graben (13) hinein, wobei über der Basis-Schichtzone (11) eine Basiselektrode (19) gebildet wird.
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| 申请公布号 |
WO0065658(A2) |
申请公布日期 |
2000.11.02 |
| 申请号 |
WO2000DE01303 |
申请日期 |
2000.04.20 |
| 申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG;WEINRICH, VOLKER;SCHINDLER, GUENTHER;MAZURE-ESPEJO, CARLOS |
发明人 |
WEINRICH, VOLKER;SCHINDLER, GUENTHER;MAZURE-ESPEJO, CARLOS |
| 分类号 |
H01L21/28;H01L21/02;H01L21/3213;H01L21/768;H01L21/822;H01L21/8246;H01L27/04;H01L27/06;H01L27/105;(IPC1-7):H01L29/00 |
主分类号 |
H01L21/28 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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