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发明名称 Method of fabricating a field-effect transistor utilizing an SOI substrate
摘要
申请公布号 EP0880169(B1) 申请公布日期 2000.11.02
申请号 EP19980303090 申请日期 1998.04.22
申请人 SHARP KABUSHIKI KAISHA 发明人 SOUTOME, YOSHIHIRO
分类号 H01L21/336;H01L29/786;(IPC1-7):H01L21/336;H01L21/28 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
主权项
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