| 主权项 |
1.一种缩短交货期之具有多层金属层之嵌入式唯读记忆体的制造方法,包括下列步骤:提供一基底,该基底包括一记忆胞区与一周边电路区;于该记忆胞区形成形成一第一闸极与一第一源极/汲极区;于该周边电路区形成一第二闸极与一第二源极/汲极区;于该基底上形成一第一介电层;于该周边电路区之该第一介电层中形成一第一接触窗;于该周边电路区上形成与该第一接触窗电性连接的一第一图案化金属层;于该基底上形成一第二介电层;去除部分该记忆胞区上之该第二介电层,使留下之该第二介电层围绕于该记忆胞区之周缘,并且使其之侧壁呈斜坡状;于该周边电路区之该第二介电层中形成一介层窗开口,该介层窗开口裸露出该第一图案化金属层,于该记忆胞区之该第一介电层中形成一第二接触窗开口;于该基底上形成一金属阻障层;进行编码之离子植入步骤,于该基底形成一编码区;于该周边电路区上形成一第二图案化金属层,该图案化第二金属层覆盖该第二介电层并且填满该介层窗开口,并与该第一图案化金属层电性连接;于该记忆胞区上形成一第三图案化金属层,该第三图案化金属层填满该接触窗开口;以及于该基底上形成一保护层。2.如申请专利范围第1项所述之缩短交货期之具有多层金属层之嵌入式唯读记忆体的制造方法,其中在形成该第一介电层之后更包括于该第一介电层上形成一蚀刻终止层之步骤。3.如申请专利范围第2项所述之缩短交货期之具有多层金属层之嵌入式唯读记忆体的制造方法,其中,且去除部分该记忆胞区上之该第二介电层的步骤包括:于该基底上形成一图案化之罩幕层;以该蚀刻终止层为蚀刻终点,进行等向性乾式蚀刻程序,以去除部分该记忆胞区上之该第二介电层;去除该图案化之罩幕层。4.如申请专利范围第2项所述之缩短交货期之具有多层金属层之嵌入式唯读记忆体的制造方法,其中该进行编码之离子植入步骤包括:于该基底上形成一图案化之罩幕层;去除未被该图案化之罩幕层所覆盖之该金属阻障层;以该图案化之罩幕层为罩幕,进行该编码之离子植入步骤;去除该图案化之罩幕层。5.如申请专利范围第1项所述之缩短交货期之具有多层金属层之嵌入式唯读记忆体的制造方法,其中,去除部分该记忆胞区上之该第二介电层的步骤包括等向性乾式蚀刻程序。6.如申请专利范围第1项所述之缩短交货期之具有多层金属层之嵌入式唯读记忆体的制造方法,其中该进行编码之离子植入步骤包括:于该基底上形成一图案化之罩幕层;去除末被该图案化之罩幕层所覆盖之该金属阻障层;以该图案化之罩幕层为之罩幕,进行该编码之离子植入步骤;去除该图案化之罩幕层。7.如申请专利范围第1项所述之缩短交货期之具有多层金属层之嵌入式唯读记忆体的制造方法,其中于该周边电路区上形成该第二图案化金属层以及于该记忆胞区上形成该第三图案化金属层之步骤包括:于该基底上形成一第四金属层,该第四金属层覆盖该记忆胞区与该周边电路区,并且填满该介层窗开口与该第二接触窗开口;以及定义该第四金属层,以形成该第二图案化金属层与该第三图案化金属层。8.一种缩短交货期之具有多层金属层之嵌入式唯读记忆体的制造方法,包括下列步骤:提供一基底,该基底包括一记忆胞区与一周边电路区;于该记忆胞区形成形成一第一闸极与一第一源极/汲极区;于该周边电路区形成一第二闸极与一第二源极/汲极区;于该基底上形成一第一介电层;于该周边电路区形成一第一金属内连线,该第一金属内连线包括一导线与一插塞;于该基底上形成一第二介电层;去除部分该记忆胞区上之该第二介电层,使留下之该第二介电层围绕于该记忆胞区之周缘,并且使其之侧壁呈斜坡状;于该周边电路区之该第二介电层形成一介层窗开口,该介层窗开口裸露出该第一金属内连线,并于该记忆胞区之该第一介电层中形成一接触窗开口;进行编码之离子植入步骤,以在基底中形成一编码区;于该周边电路区之该介层窗开口中以该介电层上形成一第二金属内连线;于该记忆胞区形成一第一图案化金属层,该第一图案化金属层填满该接触窗开口;以及于该基底上形成一保护层。9.如申请专利范围第8项所述之缩短交货期之具有多层金属层之嵌入式唯读记忆体的制造方法,其中在形成该第一介电层之后更包括于该第一介电层上形成一蚀刻终止层之步骤。10.如申请专利范围第9项所述之缩短交货期之具有多层金属层之嵌入式唯读记忆体的制造方法,其中,去除部分该记忆胞区上之该第二介电层的步骤包括:于该基底上形成一图案化之罩幕层;以该蚀刻终止层为蚀刻终点,进行等向性乾式蚀刻程序,以去除部分该记忆胞区上之该第二介电层;去除该图案化之罩幕层。11.如申请专利范围第9项所述之缩短交货期之具有多层金属层之嵌入式唯读记忆体的制造方法,其中该进行编码之离子植入步骤包括:于该基底上形成一图案化之罩幕层;去除未被该图案化之罩幕层所覆盖之该金属阻障层;以该图案化之罩幕层为罩幕,进行该编码之离子植入步骤;去除该图案化之罩幕层。12.如申请专利范围第8项所述之缩短交货期之具有多层金属层之嵌入式唯读记忆体的制造方法,其中,且去除部分该记忆胞区上之该第二介电层的步骤包括等向性乾式蚀刻程序。13.如申请专利范围第8项所述之缩短交货期之具有多层金属层之嵌入式唯读记忆体的制造方法,其中该进行编码之离子植入步骤包括:于该基底上形成一图案化之罩幕层;去除未被该图案化之罩幕层所覆盖之该金属阻障层;以该图案化之罩幕层为之罩幕,进行该编码之离子植入步骤;去除该图案化之罩幕层。14.如申请专利范围第8项所述之缩短交货期之具有多层金属层之嵌入式唯读记忆体的制造方法,其中于该周边电路区形成该第二金属内连线以及于该记忆胞区形成该第一图案化金属层的步骤包括:于该基底上形成一第二金属层,该第二金属层覆盖该记忆胞区与该周边电路区,并且填满该介层窗开口与该接触窗开口;以及定义该第二金属层,以形成该第二金属内连线与该第一图案化金属层。15.如申请专利范围第8项所述之缩短交货期之具有多层金属层之嵌入式唯读记忆体的制造方法,其中该保护层包括一磷矽玻璃层与一氮化矽层。图式简单说明:第一图A至第一图D系绘示习知一种嵌入式唯读记忆体的制造流程的部份剖面示意图;第二图A至第二图I是根据本发明之一较佳实施例,一种缩短交货期之具有多层金属层之嵌入式唯读记忆体之制造流程的部份剖面示意图;以及第三图系绘示第二图A至第二图F其部分元件的上视图。 |
