| 主权项 |
1.一种上移式相位转移光掩模之制造方法,在透明基板上至少形成遮光层图型或遮光层图型和转移层之蚀刻阻挡层,当在其上全面的形成转移层之后,形成转移层图型,而且在遮光图型上,至少有一部份之转移层图型呈重叠;其特征是:包含有平坦化工程用来研磨除去由于遮光层图型之高低差所产生之转移层表面之凹凸。2.一种上移式相位转移光掩模用基板之制造方法,在透明基板上至少形成遮光层图型或遮光层图型和转移层之蚀刻阻挡层,在其上全面的形成转移层;其特征是:包含有平坦化工程用来研磨除去由于遮光层图型之高低差所产生之转移层表面之凹凸。3.一种上移式相位转移光掩模之制造方法,在透明基板上至少形成遮光层图型或遮光层图型和转移层之蚀刻阻挡层,在该遮光层图型形成面上全面的形成平坦化层,其次在该平坦化层上全面的形成转移层之后,进行转移层图型之形成,而且在遮光图型上,至少有一部份之转移层图型呈重叠,和/或在透明基板上至少形成遮光层图型,在该遮光层图型形成面上全面的形成平坦化层,其次在该平坦化层上全面的形成转移层之蚀刻阻挡层,然后在该蚀刻阻挡层上全面的形成转移层之后,进行转移层图型之形成,而且在遮光图型上,至少有一部份之转移层图型呈重叠;其特征是:包含有平坦化工程,在全面涂布平坦化用之层之后,经由研磨除去由于该遮光层图型之高低差所产生之该层表面之凹凸,用以进行平坦化,藉以形成平坦化层。4.一种上移式相位转移光掩模基板之制造方法,在透明基板上至少形成遮光层图型或遮光层图型和转移层之蚀刻阻挡层,在其上全面的形成平坦化层,在该平坦化层上全面的形成转移层,和/或在透明基板上至少形成遮光层图型,在该遮光层图型形成面上全面的形成平坦化层,其次在该平坦化层上全面的形成转移层之蚀刻阻挡层,然后在该蚀刻阻挡层上全面的形成转移层;其特征是:包含有平坦化工程,在全面涂布平坦化用层之后,经由研磨除去由于该遮光层图型之高低差所产生之该层表面之凹凸,用以进行平坦化,藉以形成平坦化层。5.如申请专利范围第3项之上移式相位转移光掩模之制造方法,在透明基板上至少形成遮光层图型或遮光层图型和转移层之蚀刻阻挡层,在该遮光层图型形成面上全面的形成平坦化层,而且在遮光图型上,至少有一部份之转移层图型呈重叠;其次在该平坦化层上全面的形成转移层之后,进行转移层图型之形成;其特征是:在形成转移层图型之后,将平坦化层加工成与转移层相同之图型。6.如申请专利范围第1至5项中任一项之上移式相位转移光掩模或上移式相位转移光掩模基板之制造方法,其特征是:利用化学式机械研磨用来进行表面凹凸之平坦化。图式简单说明:第一图是工程概略图,用来说明本发明之实施例1。第二图是工程概略图,用来说明本发明之实施例2。第三图是工程概略图,用来说明本发明之实施例3。第四图用来说明本发明之实施例所使用之CMP装置。第五图是习知之上移式相位转移光掩模之制造工程概略图。第六图用来说明上移式相位转移光掩模中之转移图型部剖面形状。第七图用来说明使用上移式相位相移光掩模在晶片上进行投影曝光时之解像度。 |
