发明名称 强化电磁耐受力的通用串列滙流排元件与方法
摘要 一种强化电磁耐受力的通用串列汇流排元件与方法,以一单隔绝缆线耦接一通用串列汇流排主机与一通用串列汇流排元件。通用串列汇流排元件系利用一电磁耐受力侦测装置来侦测元件之电磁耐受程度,并产生一溢位讯号的输出;并以一恢复控制装置,同时接收溢位讯号与一重置讯号的输入,然后产生一控制讯号,来模拟对通用串列汇流排元件的插拔动作,以重新连接于通用串列汇流排主机,达到对通用串列汇流排元件之稳定操作的目的。
申请公布号 TW410516 申请公布日期 2000.11.01
申请号 TW087114974 申请日期 1998.07.28
申请人 联咏科技股份有限公司 发明人 蔡德修;陈龙璋;铙梓全
分类号 H04L12/40 主分类号 H04L12/40
代理机构 代理人 詹铭文 台北巿罗斯福路二段一○○号七楼之一
主权项 1.一种强化电磁耐受力的通用串列滙流排元件,以一单隔绝缆线耦接一通用串列滙流排主机与一通用串列滙流排元件,该单隔绝缆线包括有一第一传输线、一第二传输线、一电源线与一接地线,该第一传输线与第二传输线系各用以传输该通用串列滙流排主机输出之一第一讯号与一第二讯号,该通用串列滙流排元件包括:一通用串列滙流排控制器,用以接收该电源线与接地线的输入,产生该第一讯号与第二讯号之输出;一电容,跨接于该电源线与接地线间;以及一电阻,跨接于该通用串列滙流排控制器与第一传输线间,用以将该第一讯号经由该第一传输线输出;其中,该通用串列滙流排控制器更包括:一电磁耐受力侦测装置,用以侦测一电磁耐受程度,并产生一溢位讯号的输出;一电源产生器,用以产生一电位输出;一电晶体,耦接至该电源产生器;以及一恢复控制装置,用以同时接收该溢位讯号与该通用串列滙流排控制器所产生之一重置讯号的输入,然后产生一控制讯号,控制该电晶体输出该第一讯号。2.如申请专利范围第1项所述之通用串列滙流排元件,其中该第一传输线与第二传输线系互补讯号传输线。3.如申请专利范围第1项所述之通用串列滙流排元件,其中该电源产生器、电晶体与电阻共同形成一电位拉升装置。4.如申请专利范围第3项所述之通用串列滙流排元件,其中该电位为3.3V、该电阻为1.5K。5.如申请专利范图第3项所述之通用串列滙流排元件,其中该电位为5V、该电阻为7.5K。6.如申请专利范围第1项所述之通用串列滙流排元件,其中该电容之电容値为0.1F。7.如申请专利范围第1项所述之通用串列滙流排元件,其中该电位拉升装置系用以辨别该通用串列滙流排主机与该通用串列滙流排元件是否连接。8.如申请专利范围第1项所述之通用串列滙流排元件,其中该恢复控制装置系用以控制该电位拉升装置模拟一拔插动作,模拟将该通用串列滙流排主机与该通用串列滙流排元件重新连接。9.如申请专利范围第1项所述之通用串列滙流排元件,其中该电磁耐受力侦测装置更包括:一解码电路,用以接收一位址讯号、一数据讯号与一读取/写入讯号,并产生一清除讯号的输出;以及一监视计时装置,当监视计时装置在经过一时间间隔后未接收到该清除讯号之输入时,输出该溢位讯号。10.如申请专利范围第1项所述之通用串列滙流排元件,其中该恢复控制装置更包括:一解码电路,用以接收一位址讯号与一数据讯号,并产生一选择讯号的输出;以及一控制记录器,用以接收该选择讯号、溢位讯号、重置讯号与一读取/写入讯号,然后产生该控制讯号之输出。11.如申请专利范围第10项所述之通用串列滙流排元件,其中当该控制记录器接收到该溢位讯号时,该控制讯号禁止将该电位拉升装置致能,模拟对该通用串列滙流元件作“拔"的动作。12.如申请专利范围第10项所述之通用串列滙流排元件,其中当该控制记录器未接收到该溢位讯号时,该控制讯号将该电位拉升装置致能。13.如申请专利范围第1项所述之通用串列滙流排元件,其中当该通用串列滙流排元件受到电磁干扰,该通用串列滙流排主机工作程序不正常时,输出该溢位讯号。14.如申请专利范围第1项所述之通用串列滙流排元件,其中当该通用串列滙流排元件受到电磁干扰,该通用串列滙流排主机工作程序正常,且无法与该通用串列滙流排元件正常通讯时,输出该溢位讯号。15.一种强化电磁耐受力的通用串列滙流排元件,以一单隔绝缆线耦接一通用串列滙流排主机与一通用串列滙流排元件,该单隔绝缆线包括有一第一传输线、一第二传输线、一电源线与一接地线,该第一传输线与第二传输线系各用以传输该通用串列滙流排主机输出之一第一讯号与一第二讯号,该通用串列滙流排元件包括:一通用串列滙流排控制器,用以接收该电源线与接地线的输入,产生该第一讯号与第二讯号之输出;以及一电容,跨接于该电源线与接地线间;其中,该通用串列滙流排控制器更包括:一电磁耐受力侦测装置,用以侦测一电磁耐受程度,并产生一溢位讯号的输出;一电源产生器,用以产生一电位输出;一电晶体,经由一电阻串接至该电源产生器;以及一恢复控制装置,用以同时接收该溢位讯号与该通用串列滙流排控制器所产生之一重置讯号的输入,然后控制该电晶体产生该第一讯号的输出。16.如申请专利范围第15项所述之通用串列滙流排元件,其中该第一传输线与第二传输线系互补讯号传输线。17.如申请专利范围第15项所述之通用串列滙流排元件,其中该电源产生器、电晶体与电阻共同形成一电位拉升装置。18.如申请专利范围第17项所述之通用串列滙流排元件,其中该电位为3.3V、该电阻为1.5K。19.如申请专利范围第17项所述之通用串列滙流排元件,其中该电位为5V、该电阻为7.5K。20.如申请专利范围第15项所述之通用串列滙流排元件,其中该电容之电容値为0.1F。21.如申请专利范围第15项所述之通用串列滙流排元件,其中该电位拉升装置系用以辨别该通用串列滙流排主机与该通用串列滙流排元件是否连接。22.如申请专利范围第15所述之通用串列滙流排元件,其中该恢复控制装置系用以控制该电位拉升装置模拟一拔插动作,模拟将该通用串列滙流排主机与该通用串列滙流排元件重新连接。23.如申请专利范围第15所述之通用串列滙流排元件,其中该电磁耐受力侦测装置更包括:一解码电路,用以接收一位址讯号、一数据讯号与一读取/写入讯号,并产生一清除讯号的输出;以及一监视计时装置,当监视计时装置在经过一时间间隔后未接收到该清除讯号之输入时,输出该溢位讯号。24.如申请专利范围第15所述之通用串列滙流排元件,其中该恢复控制装置更包括:一解码电路,用以接收一位址讯号与一数据讯号,并产生一选择讯号的输出;以及一控制记录器,用以接收该选择讯号、溢位讯号、重置讯号与一读取/写入讯号,然后产生该控制讯号之输出。25.如申请专利范围第24项所述之通用串列滙流排元件,其中当该控制记录器接收到该溢位讯号时,该控制讯号禁止将该电位拉升装置致能,模拟对该通用串列滙流元件作“拔"的动作。26.如申请专利范围第24项所述之通用串列滙流排元件,其中当该控制记录器未接收到该溢位讯号时,该控制讯号将该电位拉升装置致能。27.如申请专利范围第15项所述之通用串列滙流排元件,其中当该通用串列滙流排元件受到电磁干扰,该通用串列滙流排主机工作程序不正常时,输出该溢位讯号。28.如申请专利范围第15所述之通用串列滙流排元件,其中当该通用串列滙流排元件受到电磁干扰,该通用串列滙流排主机工作程序正常,且无法与该通用串列滙流排元件正常通讯时,输出该溢位讯号。29.一种通用串列滙流排元件之强化电磁耐受力的方法,其中该通用串列滙流排元件以一电磁耐受力侦测装置控制一溢位讯号输出至一恢复控制装置,该恢复控制装置接收该溢位讯号与一重置讯号的输入,然后产生一控制讯号输出至一电晶体,用以控制该电晶体之开关,该强化电磁耐受力的方法包括:以该电磁耐受力侦测装置判断该通用串列滙流排元件是否正常工作;当与该通用串列滙流排元件连接之一通用串列滙流排主机工作程序不正常,无法清除该溢位讯号时,该电磁耐受力侦测装置输出该溢位讯号至该恢复控制装置;该恢复控制装置输出该控制讯号禁止该电晶体将一高电位输出至该通用串列滙流排主机;该通用串列滙流排主机重置,且该重置讯号亦输入至该恢复控制装置将该恢复控制装置重置,再由该电磁耐受力侦测装置重新判断该通用串列滙流排元件是否正常工作;当该电磁耐受力侦测装置未将该溢位讯号输出至该恢复控制装置,该恢复控制装置输出该控制讯号使该电晶体将一高电位输出至该通用串列滙流排主机;以及该通用串列滙流排主机重新对该通用串列滙流排元件作登录,使该通用串列滙流排元件正常工作。30.一种通用串列滙流排元件之强化电磁耐受力的方法,其中该通用串列滙流排元件以一电磁耐受力侦测装置控制一溢位讯号输出至一恢复控制装置,该恢复控制装置接收该溢位讯号与一重置讯号的输入,然后产生一控制讯号输出至一电晶体,用以控制该电晶体之开关,该强化电磁耐受力的方法包括:以该电磁耐受力侦测装置判断该通用串列滙流排元件是否正常工作;当该通用串列滙流排元件受到电磁干扰,使得与该通用串列滙流排元件连接之一通用串列滙流排主机无法正常通讯时,该电磁耐受力侦测装置输出该溢位讯号至该恢复控制装置;该恢复控制装置输出该控制讯号禁止该电晶体将一高电位输出至该通用串列滙流排主机;该通用串列滙流排主机重置,且该重置讯号亦输入至该恢复控制装置将该恢复控制装置重置,再由该电磁耐受力侦测装置重新判断该通用串列滙流排元件是否正常工作;当该电磁耐受力侦测装置未将该溢位讯号输出至该恢复控制装置,该恢复控制装置输出该控制讯号使该电晶体将一高电位输出至该通用串列滙流排主机;以及该通用串列滙流排主机重新对该通用串列滙流排元件作登录,使该通用串列滙流排元件正常工作。图式简单说明:第一图绘示乃传统改善USB系统之EMS的结构方块图;第二图绘示依照本发明第一实施例的一种强化EMS之USB元件的结构方块图;第三图绘示依照本发明第二实施例的一种强化EMS之USB元件的结构方块图;第四图绘示依照本发明EMS侦测装置的结构方块图;第五图绘示依照本发明恢复控制装置的结构方块图;以及第六图绘示依照本发明USB元件之EMS测试流程图。
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