| 主权项 |
1.一种化学气相沈积氧化矽之方法,至少包含:在一施加电浆之环境中,使用SiH4及N2O做为反应气体,并以氩气做为该反应之载气,在低于约500℃的温度下,进行氧化矽膜层之沈积。2.如申请专利范围第1项之方法,其中电浆之能量约为90瓦至150瓦之间。3.如申请专利范围第1项之方法,其中反应时之温度约为300℃至500℃。4.如申请专利范围第1项之方法,其中反应时之压力约为4托至7托之间。5.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之SiH4的气体流率约为250至450sccm之间。6.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之N2O的气体流率约为1500至2700sccm之间。7.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之氩气之气体流率约为1000至3000sccm之间。8.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之反应条件系用以沈积厚度低于300埃之氧化矽层。9.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之反应条件系用以沈积做为离子植入屏幕层之氧化矽层。10.一种化学气相沈积氧化矽之方法,至少包含:在一施加电浆之环境中,使用SiH4及N2O做为反应气体,并以氩气做为该反应之载气,在低于约500℃的温度下,进行氧化矽膜层之沈积;其中之反应条件为:电浆之能量约为90瓦至150瓦之间;反应温度约为300℃至500℃;反应压力约为4托至7托之间;SiH4的气体流率约为250至450sccm之间;以及N2O的气体流率约为1500至2700sccm之间。11.如申请专利范围第10项之方法,其中上述之氩气之气体流率约为1000至3000sccm之间。12.如申请专利范围第10项之方法,其中上述之反应条件系用以沈积厚度低于300埃之氧化矽层。13.如申请专利范围第10项之方法,其中上述之反应条件系用以沈积做为离子植入屏幕层之氧化矽层。图式简单说明:第一图显示应用于离子植入制程之中,形成屏幕氧化层于基材上之方法。 |
