| 主权项 |
1.一种形成金属内连线的方法,该方法至少包括下列步骤:形成一金属层于一已具有积体电路元件之半导体基底上;形成一保护层于该金属层上,该保护层仅包含一种金属组成;形成一介电层于该保护层上;以及幂罩定义该介电层以在该介电层上蚀刻出一窗口并暴露出部份之该保护层的表面,该窗口可用来制作该金属内连线。2.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之金属层至少包括铝铜合金或铝矽铜合金。3.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之保护层至少包括铝金属。4.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之介电层至少包括磷矽玻璃。5.一种形成连接垫的方法,该方法至少包括下列步骤:形成一第一金属层于一已具有积体电路元件之半导体基底上;形成一第二金属层于该第一金属层上,该第二金属层仅包含一种金属组成;形成一抗反射层于该第二金属层上;形成一介电保护层于该抗反射层上;以及幂罩定义并蚀刻部份之该介电保护层与该抗反射层,以形成一窗口用来制作金属内连线。6.如申请专利范围第5项之方法,其中上述之第一金属层至少包括铝铜合金或铝矽铜合金。7.如申请专利范围第6项之方法,其中上述之第二金属层之组成至少包括铝、铜和镁其中任一种金属。8.如申请专利范围第6项之方法,其中上述之第二金属层至少包括金属铝。9.如申请专利范围第8项之方法,其中上述之抗反射层至少包括氮化钛。10.如申请专利范围第9项之方法,其中上述之介电保护层至少包括磷矽玻璃。11. 如申请专利范围第10项之方法,其中上述之幂罩定义并蚀刻部份该介电保护层与该抗反射层之步骤系以乾式蚀刻进行。12. 如申请专利范围第11项之方法,其中上述之乾式蚀刻至少包括电浆蚀刻。13. 一种形成连接垫的方法,用以在一已具有积体电路元件之半导体基底上形成连接垫,该方法至少包括下列步骤:形成一第一金属层于一已具有积体电路元件之半导体基底上;形成一第二金属层于该第一金属层上,该第二金属层仅包含金属铝;形成一抗反射层于该第二金属层上;形成一介电保护层于该抗反射层上;形成一光阻层于该介电保护层上以定义一连接垫区域;以该光阻层为幂罩蚀刻该介电保护层与该抗反射层,并暴露出部份之该第二金属层的表面为止;以及去除该光阻层,其中该第二金属层可在光阻去除过程中保护该第一金属层,藉此防止该第一金属层之腐蚀。14. 如申请专利范围第13项之方法,其中上述之第一金属层至少包括铝铜合金或铝矽铜合金。15. 如申请专利范围第14项之方法,其中上述之抗反射层至少包括氮化钛。16. 如申请专利范围第15项之方法,其中上述之介电保护层至少包括磷矽玻璃。17. 如申请专利范围第16项之方法,其中上述之幂罩定义并蚀刻部份该介电保护层与该抗反射层之步骤系以乾式蚀刻进行。18. 如申请专利范围第17项之方法,其中上述之乾式蚀刻至少包括电浆蚀刻。 |
