| 主权项 |
1.一种双盆结构电容器的制造方法,包括:提供一基底;形成一第一介电层覆盖该基底;形成一蚀刻终止层覆盖该第一介电层;形成一接触窗于该蚀刻终止层与该第一介电层中;形成一第一导电层覆盖该蚀刻终止层并填入该接触窗中;定义该第一导电层;形成一第二介电层覆盖该基底;定义该第二介电层,以形成复数个柱状结构;形成一第二导电层共形地覆盖该些柱状结构;去除该第二导电层位于该些柱状结构顶端之部份;以及去除该些柱状结构。2.如申请专利范围第1项所述之双盆结构电容器的制造方法,其中该蚀刻终止层包括一氮化矽层。3.如申请专利范围第1项所述之双盆结构电容器的制造方法,其中该第一导电层包括一掺杂之多晶矽层。4.如申请专利范围第1项所述之双盆结构电容器的制造方法,其中该第二介电层包括一氧化矽层。5.如申请专利范围第1项所述之双盆结构电容器的制造方法,其中该第二导电层包括一掺杂之多晶矽层。6.如申请专利范围第1项所述之双盆结构电容器的制造方法,其中该第二导电层包括一掺杂之非晶矽层。7.如申请专利范围第6项所述之双盆结构电容器的制造方法,其中该掺杂之非晶矽层之裸露的表面更形成有复数个半球晶粒。8.如申请专利范围第1项所述之双盆结构电容器的制造方法,其中去除该第二导电层位于该些柱状结构顶端之部份的方法包括一化学机械研磨法。9.一种双盆结构电容器的制造方法,包括:提供一基底;形成一第一介电层覆盖该基底;形成一蚀刻终止层覆盖该第一介电层;形成一接触窗于该蚀刻终止层与该第一介电层中;形成一导电层覆盖该蚀刻终止层并填入该接触窗中;定义该导电层;形成一第二介电层覆盖该基底;定义该第二介电层,以形成复数个柱状结构;形成一掺杂之非晶矽层共形地覆盖该些柱状结构;去除该掺杂之非晶矽层位于该些柱状结构顶端之部份;去除该些柱状结构;以及形成复数个半球晶粒于该掺杂之非晶矽层之裸露的表面。10.如申请专利范围第9项所述之双盆结构电容器的制造方法,其中该蚀刻终止层包括一氮化矽层。11.如申请专利范围第9项所述之双盆结构电容器的制造方法,其中该导电层包括一掺杂之多晶矽层。12.如申请专利范围第9项所述之双盆结构电容器的制造方法,其中该第二介电层包括一氧化矽层。13.如申请专利范围第9项所述之双盆结构电容器的制造方法,其中去除该掺杂之非晶矽层位于该些柱状结构顶端之部份的方法包括一化学机械研磨法。14.一种双盆结构电容器的制造方法,包括:提供一基底;形成一氧化矽层覆盖该基底;形成一氮化矽层覆盖该氧化矽层;形成一接触窗于该氮化矽层与该氧化矽层中;形成一掺杂之多晶矽层覆盖该氮化矽层并填入该接触窗中;定义该掺杂之多晶矽层;形成一氧化矽层覆盖该基底;定义该氧化矽层,以形成复数个柱状结构;形成一导电层共形地覆盖该些柱状结构;去除该导电层位于该些柱状结构顶端之部份;以及去除该些柱状结构。15.如申请专利范围第14项所述之双盆结构电容器的制造方法,其中该导电层包括一掺杂之多晶矽层。16.如申请专利范围第14项所述之双盆结构电容器的制造方法,其中该导电层包括一掺杂之非晶矽层。17.如申请专利范围第16项所述之双盆结构电容器的制造方法,其中该掺杂之非晶矽层之裸露的表面更形成有复数个半球晶粒。18.如申请专利范围第14项所述之双盆结构电容器的制造方法,其中去除该导电层位于该些柱状结构顶端之部份的方法包括一化学机械研磨法。图式简单说明:第一图A至第一图C系分别绘示传统堆叠式、冠状、与双盆结构电容器之结构剖面示意图;以及第二图A至第二图G系绘示依据本发明之一种双盆结构电容器之制造流程结构剖面示意图。 |
