| 主权项 |
1.一种利用双抗反射层结构定义开口接触窗(contact)之制程,系包含下列步骤:a.在半导体晶片上形成主动区和多晶矽闸极区;b.形成一层间介电层于整个基板表面;c.沈积抗反射双层结构于所述层间介电层表面;d.形成一光阻层于所述抗反射双层结构表面;e.利用微影技术定义开口接触窗光阻图案;f.将未被光阻图案覆盖之所述层间介电层进行蚀刻;g.剥除光阻图案及抗反射双层结构。2.如申请范围第1项所述之利用双抗反射层结构定义开口接触窗之制程,其中所述微影光源为深紫外光。3.如申请范围第1项所述之利用双抗反射层结构定义开口接触窗之制程,其中所述层间介电层是氧化层(oxide)。4.如申请范围第1项所述之利用双抗反射层结构定义开口接触窗之制程,其中所述双层结构系包含高反射金属层与薄膜层。5.如申请范围第4项所述之利用双抗反射层结构定义开口接触窗之制程,其中所述高反射金属层之材质系选自金属、金属合金、金属氮化物、复晶矽和氮矽化合物之一。6.如申请范围第4项所述之利用双抗反射层结构定义开口接触窗之制程,其中所述薄膜层之材质为氮氧化矽(SiOxNy)。7.一种利用双抗反射层结构定义介层孔(via)之制程,系包含下列步骤:a.在半导体晶片上形成主动区和多晶矽闸极区;b.形成一层间介电层于整个基板表面;c.沈积抗反射双层结构于所述层间介电层表面;d.形成一光阻层于所述抗反射双层结构表面;e.利用微影技术定义介层孔光阻图案;f.将未被光阻图案覆盖之所述层间介电层进行蚀刻;g.剥除光阻图案及抗反射双层结构。8.如申请范围第7项所述之利用双抗反射层结构定义介层孔之制程,其中所述微影光源为深紫外光。9.如申请范围第7项所述之利用双抗反射层结构定义介层孔之制程,其中所述层间介电层是氧化层(oxide)。10.如申请范围第7项所述之利用双抗反射层结构定义介层孔之制程,其中所述双层结构系包含高反射金属层与薄膜层。11.如申请范围第10项所述之利用双抗反射层结构定义介层孔之制程,其中所述高反射金属层之材质系选自金属、金属合金、金属氮化物、复晶矽和氮矽化合物之一。12.如申请范围第10项所述之利用双抗反射层结构定义介层孔之制程,其中所述薄膜层之材质为氮氧化矽(SiOxNy)。13.一种利用双层抗反射层之介层孔微影方法,系包含下列步骤:a.在半导体基板上形成电性元件结构;b.沈积抗反射双层结构于整个基板表面;c.形成一光阻层;d.利用微影技术定义光阻图案。14.如申请范围第13项所述之利用双层抗反射层之介层孔微影方法,其中所述微影光源为深紫外光。15.如申请范围第13项所述之利用双层抗反射层之介层孔微影方法,其中所述层间介电层是氧化层(oxide)。16.如申请范围第13项所述之利用双层抗反射层之介层孔微影方法,其中所述双层结构系包含高反射金属层与薄膜层。17.如申请范围第16项所述之利用双层抗反射层之介层孔微影方法,其中所述高反射金属层之材质系选自金属、金属合金、金属氮化物、复晶矽和氮矽化合物之一。18.如申请范围第16项所述之利用双层抗反射层之介层孔微影方法,其中所述薄膜层之材质为氮氧化矽(SiOxNy)。19.一种双层抗反射层之结构,系包含半导体基板,所述半导体基板上覆盖有一层待蚀刻结构;第一层抗反射层,形成于所述待蚀刻结构表面;第二层抗反射层,形成于所述第一层抗反射层表面。20.如申请范围第19项所述之一种双层抗反射层之结构,其中所述第一层抗反射层之材质系选自金属、金属合金、金属氮化物、复晶矽和氮矽化合物之一。21.如申请范围第19项所述之一种双层抗反射层之结构,其中所述第二层抗反射层之材质为氮氧化矽(SiOxNy)。图式简单说明:第一图系一为接触窗之基底制程剖面图。第二图系氧化层厚度与反射率之关系图。第三图系形成双层抗反射结构之制程剖面图。第四图系薄膜层(氧化氮化矽层)之厚度与反射率之关系图。第五图系利用微影技术定义接触窗图案之示意图。第六图系含双层抗反射结构所形成之接触窗之示意图。 |
