一种乾式清洁后回复反应炉状态之方法

摘要

一种乾式清洁后回复反应炉状态之方法:藉由在高密度电浆的矽蚀刻机台中，置入一片空白矽晶圆控制片，然后下电极板上加一大于200W功率(power)电源，接着通入氧气(O2)和氯气(Cl2)之气体电浆来蚀刻此控制片，之后利用光学发射光谱仪(optical emission spectroscopy;OES)侦测反应炉之状态。本发明仅需要耗费一片控制片，即可达到知使用12片控制片才能回复反应炉状态，本发明不但可达到节省能源、时间之目的，尚可以减少控制片的使用量。

主权项

1.一种矽蚀刻机台清洁后,可确定反应炉状态之方法,系包含下列步骤:a.提供一控制片置入蚀刻机台内;b.以气体电浆乾蚀刻此控制片;c.以光谱分析仪来观测蚀刻机内含有矽的特定物质之光谱强度。2.如申请专利范围第1项所述之矽蚀刻机台清洁后,可确定反应炉状态之方法,其中所述光谱分析仪是光学发射光谱仪(OES)。3.如申请专利范围第1项所述之矽蚀刻机台清洁后,可确定反应炉状态之方法,其中所述含有矽的特定物质为SiClx。4.如申请专利范围第3项所述之矽蚀刻机台清洁后,可确定反应炉状态之方法,其中所述SiClx的光谱吸收位置在波长为280.04nm或282.48nm处。5.如申请专利范围第1项所述之矽蚀刻机台清洁后,可确定反应炉状态之方法,其中所述含有矽的特定物质为矽(Si)。6.如申请专利范围第5项所述之矽蚀刻机台清洁后,可确定反应炉状态之方法,其中所述矽(Si)的光谱吸收位置在波长为288.32nm处。7.一种乾式清洁后,快速回复反应炉状态之方法,系包含下列步骤:a.提供一控制片置入蚀刻机台内;b.于所述之矽蚀刻机台通入O2及Cl2气体电浆,以较高的离子轰击能量(bombardmentenergy)来蚀刻控制片。8.如申请专利范围第8项所述乾式清洁后,快速回复反应炉状态之方法,其中所述控制片是没有其他层次的矽晶圆(blanket silicon wafer)。9.如申请专利范围第8项所述乾式清洁后,快速回复反应炉状态之方法,其中所述O2,气体电浆之流率介于5至35sccm之间,而Cl2气体电浆之流率则介于50至300 sccm之间。10.如申请专利范围第8项所述乾式清洁后,快速回复反应炉状态之方法,其中所述下极电极板之电功率(power)为大于200Walts之电源。图式简单说明:第一图系一般之矽蚀刻机台剖面图。第二图系矽蚀刻机台在蚀刻晶片后,生成高分子聚合物附着于反应炉侧壁之示意图。第三图系矽蚀刻机台经含氟气体清洁后之示意图。第四图系本发明实施例之Sofie光谱分析图。第五图系本发明实施例之光学发射光谱仪(OES)分析图。