| 主权项 |
1.一种电晶体开关,包括:一第一场效电晶体,经由一第一电压源所控制,系于一传输模式下开启导通;一第二场效电晶体,该第二场效电晶体之一源/汲极系与该第一场效电晶体之一源/汲极连接,并经由一第二电压源所控制,当于该传输模式下关闭该第二场效电晶体;一钳位电路,连接于该第二场效电晶体之闸极与该第二电压源间;以及一耦合电路,连接于该第二场效电晶体之该闸极与该源/汲极间。2.如申请专利范围第1项所示之该电晶体开关,其中,该钳位电路是由一二极体所构成,该二极体分别以阳极和阴极连接该第二场效电晶体之该闸极与该第二电压源。3.如申请专利范围第1项所示之该电晶体开关,其中,该耦合电路包括串接之一电容器和一二极体。4.如申请专利范围第1项所示之该电晶体开关,其中,该第一电压源经由一电阻器耦接至该第一场效电晶体之闸极。5.如申请专利范围第1项所示之该电晶体开关,其中,该第二电压源经由一电阻器耦接至该第二场效电晶体之该闸极。6.一种电晶体开关,包括:一第一场效电晶体,经由一第一电压源所控制,系于一传输模式下开启导通;一第二场效电晶体,该第二场效电晶体之一源/汲极系与该第一场效电晶体之一源/汲极连接,并经由一第二电压源所控制,当于该传输模式下关闭该第二场效电晶体;一第一二极体,该第一二极体分别以阳极料阴极连接该第二场效电晶体之闸极与该第二电压源;以及一电容器,耦接于该第二场效电晶体之该闸极与该源/汲极间。7.如申请专利范围第6项所示之该电晶体开关,尚包括一第二二极体,系与该电容器串接,位于该第二场效电晶体之该闸极与该源/汲极间。8.如申请专利范围第6项所示之该电晶体开关,其中,该第一电压源经由一电阻器耦接至该第一场效电晶体之闸极。9.如申请专利范围第6项所示之该电晶体开关,其中,该第二电压源经由一电阻器耦接至该第二场效电晶体之该闸极。图式简单说明:第一图系显示习知以场效电晶体实现单刀双掷开关的电路图;第二图系显示用以说明第一图开关电路因场效电晶体不正常开启造成传输损耗的图示;第三图系显示根据本发明一较佳实施例的电路图;第四图系显示用以说明本发明电晶体开关于高功率传送模式下操作之图示;以及第五图系显示根据本发明之电晶体开关与习知者之传输功率-损耗曲线比较图。 |
