| 主权项 |
1.一种定义导电层的方法,包括:提供具有一介电层之一基底;形成一导电层全面覆盖该基底;于该导电层中形成一沟渠;于该沟渠中形成二调整结构,分别紧接于该沟渠两侧之侧壁;形成一覆盖层全面覆盖该基底并且填满该沟渠;进行一平坦化步骤,以移除部分该覆盖层,并且留下该沟渠中之该覆盖层;以该覆盖层为罩幕,进行一非等向性蚀刻步骤,以于该覆盖层下方形成一导电结构。2.如申请专利范围第1项所述之定义导电层的方法,其中该介电层的材质包括氧化物。3.如申请专利范围第1项所述之定义导电层的方法,其中该沟渠之宽度大于该导电结构之宽度。4.如申请专利范围第1项所述之定义导电层的方法,其中该二调整结构之间距与该导电结构之宽度相等。5.如申请专利范围第4项所述之定义导电层的方法,其中形成该二调整结构的方法包括:于该导电层上形成一先置层,该先置层与该导电层共形;以及进行一回蚀刻步骤,移除部分之该导电层。6.如申请专利范围第5项所述之定义导电层的方法,其中该导电层的材质系选取于由复晶矽、金属、金属矽化物及其组合所组成之一群。7.如申请专利范围第6项所述之定义导电层的方法,其中该先置层之材质包括与该导电层相同。8.如申请专利范围第1项所述之定义导电层的方法,其中该覆盖层的材质包括氧化物。9.如申请专利范围第1项所述之定义导电层的方法,其中形成该覆盖层的方法包括化学气相沉积法。10.如申请专利范围第1项所述之定义导电层的方法,其中进行该平坦化步骤的方法包括以化学机械研磨法研磨至与该导电层表面相同的高度。11.一种调整导电层之宽度的方法,包括:提供一基底;形成一导电层全面覆盖该基底;于该导电层中形成一沟渠;于该导电层上形成与该导电层共形之一先置层,其中该先置层并且填满该沟渠;进行一回蚀刻步骤,移除该沟渠中之部分该先置层,以于该沟渠中形成二调整结构分别紧接于该沟渠两侧之侧壁,并且控制该二调整结构之大小,使该二调整结构之间的间距为一特定距离;形成一覆盖层全面覆盖该基底并且填满该沟渠;进行一平坦化步骤,以移除部分该覆盖层,并且留下该沟渠中之该覆盖层;以该覆盖层为罩幕,进行一非等向性蚀刻步骤,以于该覆盖层下方形成一导电结构,其中该导电结构之宽度与该二调整结构之间的该特定距离相等。12.如申请专利范围第11项所述之调整导电层之宽度的方法,其中该沟渠之宽度大于该导电结构之宽度。13.如申请专利范围第11项所述之调整导电层之宽度的方法,其中该导电层的材质系选取于由复晶矽、金属、金属矽化物及其组合所组成之一群。14.如申请专利范围第11项所述之调整导电层之宽度的方法,其中该先置层之材质包括与该导电层相同。15.如申请专利范围第11项所述之调整导电层之宽度的方法,其中该覆盖层的材质包括氧化物。16.如申请专利范围第11项所述之调整导电层之宽度的方法,其中形成该覆盖层的方法包括化学气相沉积法。17.如申请专利范围第11项所述之调整导电层之宽度的方法,其中进行该平坦化步骤的方法包括以化学机械研磨法研磨至与该导电层表面相同的高度。图式简单说明:第一图A至第一图E绘示依照本发明之一较佳实施例的一种定义导电层的方法的流程剖面图。 |
