| 主权项 |
1.一种形成沟渠下闸极之方法,该方法至少包括下列步骤:(a)提供一基材,并于该基材上形成一垫氧化层;(b)形成一氮化矽层于该垫氧化层上;(c)部份移除该氮化矽层、该垫氧化层和该基材以形成一沟渠;(d)以高密度电浆化学气相沈积(High densityplasma chemical vapor deposition;HDPCVD)方式形成一氧化层于该沟渠之底部与两侧壁,并延伸覆盖该沟渠两侧之该氮化矽层表面;以及(e)部份移除该沟渠内之该氧化层,并定义该沟渠底部之该氧化层残留为该闸极。2.如申请专利范围第1项所述之沟渠下闸极形成方法,其中该基材为一矽基材。3.如申请专利范围第1项所述之沟渠下闸极形成方法,其中该步骤(c)中形成该沟渠之方法系以微影和蚀刻技术部份移除该氮化矽层、该垫氧化层和该基材而形成。4.如申请专利范围第1项所述之沟渠下闸极形成方法,其中该步骤(d)中之形成该氧化层之方式系利用高密度电浆化学气相沈积系统以不同之沈积速度控制形成于该沟渠两侧壁与底部之该氧化层厚度而形成。5.如申请专利范围第4项所述之沟渠下闸极形成方法,其中形成于该沟渠底部部份之该氧化层厚度略大于该闸极厚度。6.如申请专利范围第4项所述之沟渠下闸极形成方法,其中该高密度电浆化学沈积系统定义单位体积之解离离子数介于10^|1^|2至10^|1^|3即代表高密度。7.如申请专利范围第1项所述之沟渠下闸极形成方法,其中该步骤(e)中之部份移除该氧化层之方法系以一湿式蚀刻方式进行。8.如申请专利范围第7项所述之沟渠下闸极形成方法,其中该湿式蚀刻系以氟酸系(HF)为主之缓冲氧化层蚀刻液为之。9.如申请专利范围第8项所述之沟渠下闸极形成方法,其中该缓冲氧化蚀刻液为氟酸(HF)与氟化氨(NH4F)之混合液。10.如申请专利范围第1项所述之沟渠下闸极形成方法,其中该闸极之厚度为1000至3000埃。11.如申请专利范围第1项所述之沟渠下闸极形成方法,其中该沟渠之深度由该矽基材表面往下量测为1.5至3.0m,而直径为0.3至0.6m。12.一种形成沟渠下闸极于一半导体基材上之方法,该方法至少包括下列步骤:(a)形成一沟渠于该半导体基材中;(b)以高密度电浆化学气相沈积方式于该沟渠之底部与两侧壁上形成一氧化层;以及(c)部份移除该沟渠中之该氧化层,并定义该沟渠底部之该氧化层残留为该闸极。13.如申请专利范围第12项所述之形成沟渠下闸极方法,其中该步骤(a)包括下列子步骤:(a1)形成一垫氧化层于该半导体基材之上;(a2)形成一氮化矽层于该垫氧化层之上;以及(a3)部份移除该氮化矽层、该垫氧化层和该半导体基材以形成该沟渠。14.如申请专利范围第12项所述之形成沟渠下闸极方法,其中该步骤(b)中之该氧化层之形成系利用高密度电浆化学气相沈积系统以不同之沈积速度控制形成于该沟渠两侧壁与底部之该氧化层之厚度而形成。15.如申请专利范围第14项所述之形成沟渠下闸极方法,其中形成于该沟渠底部部份之该氧化层厚度略大于即将定义之该闸极厚度。16.如申请专利范围第15项所述之形成沟渠下闸极方法,其中该高密度电浆化学气相沈积系统定义单位体积之解离离子数介于10^|1^|2至10^|1^|3即代表高密度。17.如申请专利范围第12项所述之形成沟渠下闸极方法,其中该步骤(c)中之部份移除该氧化层之方法系藉由湿式蚀刻方式进行。18.如申请专利范围第17项所述之沟渠下闸极形成方法,其中该湿式蚀刻系以氟酸系为主之缓冲氧化层蚀刻液为之。19.如申请专利范围第18项所述之沟渠下闸极形成方法,其中该缓冲氧化蚀刻液为氟酸(HF)与氟化氨(NH4F)之混合液。 |
