| 主权项 |
1.一种金属连接结构,提供积体电路内电气隔离之导电区域间的传导路径,该导电区上成形有绝缘层,该结构包括:第一传导层,包括许多第一种导电材料的传导栓成形通过该绝缘层,该传导栓与该电气绝缘的导电区间构成电气接触,其中至少有一个该传导栓与该至少两个电气绝缘的导电区构成电气接触;以及成形于该绝缘层上之第二导电材料的图案层,该图案层电气耦合所选择的传导栓。2.根据申请专利范围第1项的结构,进一步包括:在该图案层上的第二绝缘层;许多第二传导栓成形通过该第二绝缘层,该许多第二传导栓电气连接所选择的该图案层的区域;以及在该第二绝缘层上成形导电材料的第二图案层,该第二电气图案层电气耦合所选择的许多第二传导栓。3.根据申请专利范围第1项的结构,其中的基底是由绝缘层构成,该积体电路成形于其上。4.根据申请专利范围第1项的结构,其中该第一传导层至少包括一个子层,每一个子层至少包括一种选择自钛、氮化钛、钨、铝及铜之材料。5.根据申请专利范围第1项的结构,其中该第一图案层是由选择自钛、氮化钛、钨、铝及铜之材料至少其中之一所构成。6.一种在积体电路元件中形成金属连接结构的方法,该积体电路元件具有隔离的导电区成形于其上,该方法包括的步骤有:在该隔离的导电区上成形绝缘层;在该绝缘层上成形贯穿的孔,以暴露出所选择的隔离的导电区,其中至少有一个孔暴露出至少两个隔离的导电区;以导电材料填充该孔构成传导栓藉以形成第一导电层;在该第一导电层与该绝缘层上成形与制作第二导电层的图案,该第二导电层电气耦合预选的传导栓。7.根据申请专利范围第6项的方法,包括的步骤有在该绝缘层与该第二导电层上成形第二绝缘层;在该第二绝缘层上成形孔,以暴露出该第二导电区中的既定的区域;填充该孔以形成第二传导栓,该传导栓电气接触该既定的区域;以及在该第二绝缘层与该第二传导栓上成形与制作第三导电层的图案,该第三导电层电气耦合预先建立的第二传导栓。8.根据申请专利范围第6项的方法,进一步包括从绝缘材料上制造成形该积体电路之基底的步骤。9.根据申请专利范围第6项的方法,其中成形第一导电层的该步骤包括藉成形至少一层钛、氮化钛、钨、铝及铜之材料以成形第一导电层的步骤。10.根据申请专利范围第6项的方法,其中制造第二导电层的该步骤包括以钛、氮化钛、钨、铝及铜之材料中至少一种制造该第二导电层的步骤。图式简单说明:第一图A、第一图B、第一图C说明根据习知技术制造连接结构。第二图A、第二图B、第二图C说明根据本发明制造连接结构。 |
