| 主权项 |
1.一种电压产生电路,包含: 一负荷电晶体电路,其源极接点系被连接至一电源 电 压; 一传输闸电路,其源极接点系与该负荷电晶体电路 之 汲极接点连接;以及 一箝位电路,其汲极接点系与该传输闸电路之汲极 接 点连接,且其源极接点接地,其中: 该负荷电晶体电路之闸极接点系受供给以一CEB(晶 片起 动)信号; 该传输闸电路之闸极接点系提供以一个在该传输 闸电 路之汲极接点的反相信号; 该箝位电路之闸极接点系与该负荷电晶体电路之 汲极 接点连接;以及 相连接之该负荷电晶体电路之汲极接点、该传输 闸电 路之源极接点与该箝位电路之闸极接点,系作为该 电压产 生电路之一输出接点,用以输出一固定电压。2.如 申请专利范围第1项之电压产生电路,其中,该 箝位电路系由两个以上的MOS电晶体以一种并联连 接方式 所构成。3.如申请专利范围第1项之电压产生电路, 其中,该 负荷电晶体电路系由两个以上的电晶体以一种串 联连接方 式所构成,且该复数电晶体之闸极接点系被供给以 该 CEB(晶片起动)信号。4.如申请专利范围第1项之电 压产生电路,其中,更 提供一反相电路,其输入接点与该箝位电路之汲极 接点连 接,且其输出接点与该传输闸电路之闸极接点连接 ,用以 于该传输闸电路之汲极接点获得反相信号。5.如 申请专利范围第4项之电压产生电路,其中,该 箝位电路系由两个以上的MOS电晶体以一种并联连 接方式 所构成。6.如申请专利范围第4项之电压产生电路, 其中,该 负荷电晶体电路系由两个以上的电晶体以一种串 联连接方 式所构成,且该复数电晶体之闸极接点系被供给以 该 CEB(晶片起动)信号。7.如申请专利范围第1项之电 压产生电路,其中,更 提供一NOR电路,其第一输入接点与箝位电路之汲极 接点 连接、其第二输入接点系提供以该CEB(晶片起动) 信号、 且其输出接点系与传输闸电路之闸极接点连接,用 以于该 传输闸电路之汲极接点获得反相信号。8.如申请 专利范围第7项之电压产生电路,其中,该 箝位电路系由两个以上的MOS电晶体以一种并联连 接方式 所构成。9.如申请专利范围第7项之电压产生电路, 其中,该 负荷电晶体电路系由两个以上的电晶体以一种串 联连接方 式所构成,且该复数电晶体之闸极接点系被供给以 该 CEB(晶片起动)信号。10.如申请专利范围第1项之电 压产生电路,更包含一 连接到该输出接点的差动放大器,用以增加驱动能 力。11.如申请专利范围第10项之电压产生电路,其 中, 该电压产生电路系应用于一种设有多値记忆体单 元之半导 体记忆体装置,其中,从复数之阈値电压所选取之 阈値电 压,系依写入之资料而设定。 |
