| 主权项 |
1.一种包含与至少一个薄膜电晶体单片式整合之 发光二 极体之装置,其中发光二极体包含阳极、阴极与至 少一层 包含发光材料夹在阳极与阴极间之主动层,而薄膜 电晶体 包含插在源极与汲极接点间之半导体材料使得从 源极流向 汲极之电流会从源极流经半导体材料再到汲极,其 中薄膜 电晶体与发光二极体形成于单一、完整的基材上, 而其中 薄膜电晶体之半导体材料与至少一层发光二极体 之主动层 为有机材料。2.如申请专利范围第1项之装置,其中 薄膜电晶体进一 步包括一形成于基材上的闸极,且其中发光二极体 之阳极 与薄膜电晶体之闸极为单一材料层。3.如申请专 利范围第2项之装置,其中主动层进一步包 括电荷负载材料层。4.如申请专利范围第3项之装 置,其中薄膜电晶体之半 导体材料与发光二极体之电荷负载材料为相同材 料。5.如申请专利范围第4项之装置,其中电荷负载 材料为 电洞传送材料。6.如申请专利范围第5项之装置,其 中电荷负载材料与 半导体材料系选自包括寡吩、五环素、二-R- 二吩 其中R为C|^mH|^2.^m|^+|^1其中m为0至18或C|^yH|^2.^y|^+|^1 OC|^zH|^2.^z其中z+y=4至17, y大于0而z大于2.双-苯骈二吩、苯二甲蓝配位化 合物 与regioregular聚(3-烷基吩)。7.如申请专利范围第4 项之装置,其中源极与汲极的至 少其中之一电气连接至阳极。8.如申请专利范围 第7项之装置,其中基材为透明基材 而薄膜电晶体之闸极与发光二极体之阳极为氧化 铟锡。9.如申请专利范围第8项之装置,其中该透明 基材材料 系选自包括玻璃、聚酯与聚亚胺。10.如申请专利 范围第9项之装置,其中复数个薄膜电晶 体与发光二极体单片式整合在一起。11.一种制造 单片式整合之薄膜电晶体与发光二极体之 方法包括: 于单一基材上形成薄膜电晶体之闸极接点与发光 二极体 之阳极; 于闸极接点上形成介电材料层; 于介电材料层上形成有机半导体材料层; 形成薄膜电晶体之源极接点与汲极接点,其中该源 极接 点与汲极接点形成在有机半导体材料层于介电材 料层上形 成之前或之后,而其中源极接点与汲极接点之一电 气连至 阳极; 于发光二极体之阳极上形成有机发光材料层;及 于有机发光材料层上形成阴极。12.如申请专利范 围第11项之方法,其中该闸极接点与 阳极由单层导电材料形成。13.如申请专利范围第 12项之方法,其进一步包括在有 机发光材料层形成前于阳极上形成电洞传送层。 14.如申请专利范围第13项之方法,其中该薄膜电晶 体 之该有机半导体材料与该发光二极体之该电洞传 送材料为 相同的p型半导体材料。15.如申请专利范围第14项 之方法,其中该p型半导体材 料系选自包括寡吩、五环素、二-R-二吩其 中R为 C|^mH|^2.^m|^+|^1其中m为0至18或C|^yH|^2.^y|^+|^1OC|^zH|^2.^ z其中z+y=4至17,y大于0 而z大于2.双-苯骈二吩、苯二甲蓝配位化合物与 regioregular聚(3-烷基吩)。16.如申请专利范围第12 项之方法,其中该介电材料藉 由于该薄膜电晶体之闸极接点上印刷介电材料层 来形成。17.如申请专利范围第16项之方法,其中该 半导体材料 藉由印刷半导体材料层来形成。18.如申请专利范 围第16项之方法,其中该半导体材料 藉由旋转涂布半导体材料层来形成。19.如申请专 利范围第16项之方法,其中该半导体材料 藉由喷涂液态可处理共轭寡聚物或聚合物来形成 。20.如申请专利范围第12项之方法,其中该源极接 点与 汲极接点藉由印刷源极接点与汲极接点用之材料 来形成。21.如申请专利范围第12项之方法,其中该 主动材料藉 由印刷来形成。22.如申请专利范围第12项之方法, 其中该主动材料藉 由铸型来形成。23.如申请专利范围第12项之方法, 其中该主动材料藉 由旋转涂布来形成。24.如申请专利范围第12项之 方法,其中该介电层系形 成作为一蚀刻光罩,其系用来形成位于导电材料下 层的阳 极或闸极接点之至少其中之一。 |
