| 主权项 |
1. 一种金属镶嵌配线, 包括:配线沟, 系形成于绝缘膜;焊垫沟, 系连通于配线沟;突起, 系在前述焊垫沟中, 藉由不除去部份的前述绝缘膜而形成, 且使前述焊垫沟之实质开口面积变小; 以及导电膜, 系埋入前述配线沟及前述焊垫沟中。2.如申请专利范围第1项之金属镶嵌配线, 其中, 前述突起系以不隔断埋入于前述焊垫沟中之前述导电膜之方式所形成。3. 如申请专利范围第2项之金属镶嵌配线, 其中, 前述突起系包含在前述焊垫沟中以适当间隔分布的复数岛状突起。4. 如申请专利范围第2项之金属镶嵌配线,其中, 前述突起系包含突条。5. 如申请专利范围第1项之金属镶嵌配线, 其中, 前述突起系以可隔断埋入于前述焊垫沟中之前述导电膜之方式形成。6. 如申请专利范围第5项之金属镶嵌配线, 其中, 前述突起系包含在前述焊垫沟内包围部份焊垫沟之闭锁突条。7. 如申请专利范围第1项至第6项中任一项之金属镶嵌配线, 其中, 复包括有接触孔, 该接触孔系形成于前述焊垫沟中, 且使前述导电膜与配置于前述绝缘膜下面的其他导电膜电气地连接。8. 一种半导体装置,包括:半导体基板;绝缘膜, 形成于前述半导体基板上;配线沟, 形成于前述绝缘膜上, 且接通于半导体元件;焊垫沟, 形成于前述绝缘膜上, 且接通于前述配线沟;突起, 藉由在前述焊垫沟中不除去一部份的前述绝缘膜, 所形成且使前述焊垫沟实质开口面积变小;以及半导膜, 埋入于前述配线沟及前述焊垫沟中。9.如申请专利范围第8项之半导体装置, 其中, 前述突起系以不隔断埋入于前述焊垫沟中之前述导电膜之方式形成。10.如申请专利范围第9项之半导体装置, 其中, 前述突起系包含在前述焊垫沟中以适当的间隔分布之复数岛状突起。11.如申请专利范围第9项之半导体装置, 其中, 前述突起系包含突条。12.如申请专利范围第8项之半导体装置, 其中, 前述突起系以可隔断埋入于前述焊垫沟中之前述导电膜之方式形成。13.如申请专利范围第12项之半导体装置, 其中, 前述突起系包含前述焊垫沟内包围部焊垫沟之闭锁突条。14.如申请专利范围第8项至第13项中任一项之半导体装置, 其中复包括:另一导电膜, 形成于前述绝缘膜的下面; 以及接触孔, 在前述焊垫沟内, 形成于前述绝缘膜中,使前述导电膜与前述另一导电膜电气连接。 |
