| 主权项 |
1.一种用以于一导电基板上形成一涂层之方法,其 包括设立一粉末涂层组成物之流体化床, 藉此产生粉末涂层组成物之摩擦带电,将该基板完 全或部分浸泡于该流体化床内,在至少一 部分浸泡期间内供应一电压至该基板,藉此使该粉 末涂层组成物之带电粒子附着至该基板, 将该基板自该流体化床中抽出,并使附着之粒子在 至少一部分基板上形成一连续涂层。2.根据申请 专利范围第1项之方法,其中该基板包括金属。3.根 据申请专利范围第1或2项之方法,其中该所供应之 电压为一直流电压。4.根据申请专利范围第1或2项 之方法,用以依序涂布连续之基板,其中使用直流 电压,且供 应至该连续基板上之电压极性在一基板与下一基 板间彼此相反,以产生一交错之序列。5.根据申请 专利范围第4项之方法,其中将一列交错极性之基 板途经一设立于一流体化室中 之流体化床内,该流体化室在沿着基板之移动方向 具有由绝缘段与导电段交替组成之壁。6.根据申 请专利范围第1或2项之方法,包括一或多对基板设 置于一共同流体化床内之同时间 批式涂布,每一对基板均分别地以相反极性之直流 电压使之带电。7.根据申请专利范围第1或2项之方 法,其中该流体化床系设立于一接地之容器内。8. 根据申请专利范围第1或2项之方法,其中一或多个 逆电极,较佳接地,设置于整体粉末涂 层组成物内。9.根据申请专利范围第1或2项之方法 ,其中该基板末接地。10.根据申请专利范围第1或2 项之方法,其中该基板完全浸泡于该流体化床内。 11.根据申请专利范围第1或2项之方法,其中该基板 在浸泡于该流体化床内之前未经预热。12.根据申 请专利范围第1或2项之方法,其中该粉末涂层组成 物为一热固性系统。13.根据申请专利范围第1或2 项之方法,其中藉由乾燥混合于该粉末涂层组成物 中加入一或 多种流体辅助添加剂。14.根据申请专利范围第13 项之方法,其中于该粉末涂层组成物中加入氧化铝 与氢氧化铝之 组合物作为流体辅助添加剂。15.根据申请专利范 围第1或2项之方法,其中供应至该基板之电压使得 存在该流体化床中之 最大电位梯度实质上低于流体化床中气体之游离 能梯度。16.根据申请专利范围第1或2项之方法,其 中该存在该流体化床中之最大电位梯度介于 0.05kV/cm与10kV/cm间,包括两边界。17.根据申请专利 范围第16项之方法,其中该存在该流体化床中之最 大电位梯度介于 0.05kV/cm与5kV/cm间,包括两边界。18.根据申请专利范 围第17项之方法,其中该存在该流体化床中之最大 电位梯度介于 0.05kV/cm与1kV/cm间,包括两边界。19.根据申请专利范 围第1或2项之方法,其中供应至该基板之电压介于5 kV与60kV间,包括两 边界。20.根据申请专利范围第19项之方法,其中供 应至该基板之电压介于15kV与35kV间,包括两 边界。21.根据申请专利范围第19项之方法,其中供 应至该基板之电压介于5kV与30kV间,包括两边 界。22.根据申请专利范围第19项之方法,其中供应 至该基板之电压介于30kV与60kV间,包括两 边界。23.根据申请专利范围第1或2项之方法,其中 该粉末涂层组成物粒子之大小变化介于1与120 微米间,包括两边界。24.根据申请专利范围第23项 之方法,其中该粒子之大小变化于15与75微米间,包 括两边界 。25.根据申请专利范围第24项之方法,其中该粒子 之大小变化于25与50微米间,包括两边界 。26.根据申请专利范围第24项之方法,其中该粒子 之大小变化于20与45微米间,包括两边界 。27.根据申请专利范围第1或2项之方法,其中该基 板接受5与200微米间之涂层厚度,包括两 边界。28.根据申请专利范围第27项之方法,其中该 基板接受5与100微米间之涂层厚度,包括两边 界。29.根据申请专利范围第27项之方法,其中该基 板接受10与150微米间之涂层厚度,包括两边 界。30.根据申请专利范围第29项之方法,其中该基 板接受20与100微米间之涂层厚度,包括两边 界。31.根据申请专利范围第30项之方法,其中该基 板接受60与80微米间之涂层厚度,包括两边 界。32.根据申请专利范围第30项之方法,其中该基 板接受80与100微米间之涂层厚度,包括两边 界。33.根据申请专利范围第29项之方法,其中该基 板接受50与150微米间之涂层厚度,包括两边 界。34.根据申请专利范围第29项之方法,其中该基 板接受15与40微米间之涂层厚度,包括两边 界。35.根据申请专利范围第1或2项之方法,其中少 于10mA流入基板中。36.根据申请专利范围第35项之 方法,其中少于5mA流入基板中。37.根据申请专利范 围第36项之方法,其中少于1mA流入基板中。38.根据 申请专利范围第1或2项之方法,其中导电基板为汽 车或航空元件。39.根据申请专利范围第38项之方 法,其包括在粉末涂层上涂布一顶部涂层之进一步 步骤。40.一种用于申请专利范围第1或2项之方法 中之装置,用以于一导电基板上形成一涂层,其 包括: (a)一流体化室, (b)用以使该流体化室内之整体粉末涂层组成物产 生流体化之装置,以于其内建立该组成物 之一流体化床,藉此产生粉末涂层组成物之摩擦带 电, (c)用以使该基板完全或部分浸泡于该流体化床内 之装置; (d)用以在至少一部分浸泡期间内供应一电压至该 基板之装置,藉此使该基板变成带电,而 使该粉末涂层组成物之带电粒子附着至其上; (e)用以将该带有附着粒子之基板自该流体化床中 抽出之装置;以及 (f)用以将附着之粒子转成一连续涂层之装置。图 式简单说明: 第一图显示第一种形式之流体化与涂布装置之图 示剖面; 第二图为实施例1与3至8中所用之基板加工件立体 图; 第三图为开展状况下之第二图加工件之立体图,用 以评估膜厚度与%覆盖率; 第四图为实施例11中所用之基板加工件图; 第五图为第四图加工件之剖面图; 第六图至第十二图为以下实施例1至7中所报导数 据之座标图例; 第十三图为第二种形式之流体化与涂布装置之平 面图; 第十四图用以涂布具凹陷之加工件之配置前视图, 该凹陷中插有逆电极; 第十五图为第十四图配置之平面图; 第十六图为用以涂布逆电极间平面加工件之配置 立体图;以及 第十七图为位于一流体化室上之第十六图配置之 平面图。 |
