场致发射型电子源及其制造方法

摘要

本发明揭示一种场致发射型电子源及其制造方法。场致发射型电子源10具有导电性基板1、在导电性基板1的一个表面上形成的至少一部分进行多孔化处理的半导体层6、以及在半导体层上形成的导电性薄膜7。通过加上导电性薄膜7相对于导电性基板1为正的电压,注入导电性基板1的电子通过半导体层从导电性薄膜7发射。半导体层包含柱状结构部分21和平均尺寸在2μm以下的多孔结构部分25混合存在的多孔半导体层6。

主权项

1.一种场致发射型电子源，具有导电性基板、在导电性基板的一个表面上形成的至少一部分进行多孔化处理的半导体层、以及在半导体层上形成的导电性薄膜，通过在导电性薄膜与导电性基板之间加上导电性薄膜相对于导电性基板为正的电压，注入导电性基板的电子就通过半导体层从导电性薄膜发射，其特征在于，半导体层包含各自表面用绝缘层覆盖的柱状结构部分和以纳米为单位的半导体微晶构成的多孔结构部分混合存在的多孔半导体层，而且沿半导体厚度方向来看的多孔结构部分平均尺寸在2μm以下。