| 发明名称 | 用多步淀积/退火工艺改进的利用掺杂硅酸盐玻璃的半导体结构的间隙填充 | ||
| 摘要 | 通过多步淀积/退火工艺,用掺杂硅酸盐玻璃(231—235)实现狭窄空间的改进间隙填充。掺杂硅酸盐玻璃(231—235)在足够高的温度部分淀积以引起回流。然后退火部分淀积的掺杂硅酸盐玻璃引起进一步的回流并且填充狭窄空间,减少空间的纵横比。部分淀积和退火重复多次直到掺杂硅酸盐玻璃达到需要的厚度。 | ||
| 申请公布号 | CN1272224A | 申请公布日期 | 2000.11.01 |
| 申请号 | CN98809638.2 | 申请日期 | 1998.09.30 |
| 申请人 | 因芬尼昂技术股份公司 | 发明人 | M·基尔希霍夫;M·伊尔格 |
| 分类号 | H01L21/768;H01L21/3105 | 主分类号 | H01L21/768 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 梁永;王忠忠 |
| 主权项 | 1.一种制造集成电路的方法，包括：提供一衬底，包括被狭窄空隙分开的高纵横比器件部件；a)淀积一层掺杂硅酸盐玻璃，其厚度小于所需的厚度，淀积掺杂硅酸盐玻璃的温度足够高以使其回流；b)在这温度下退火掺杂硅酸盐玻璃，退火使掺杂硅酸盐玻璃流动并部分地填充空隙，以减小掺杂硅酸盐玻璃的纵横比；重复a和b步骤n次形成所需厚度的掺杂硅酸盐玻璃。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||