发明名称 清洗液及使用该清洗液的半导体装置的制造方法
摘要 使用包含作为主要成分的缩合磷酸铵、作为辅助剂的尿素或尿素的变态成分和酸且氢离子浓度在10<SUP>-4</SUP>mol/l以上的清洗液除去附着在从半导体衬底2上露出的第2布线层20和埋入金属膜14上的抗蚀剂残渣22a。由此,即使由于无边界布线的缘故,埋入到连接孔中的埋入膜的一部分露出,也能可靠地除去抗蚀剂残渣而不溶解该埋入层或布线层等的导电层。
申请公布号 CN1271767A 申请公布日期 2000.11.01
申请号 CN00106995.0 申请日期 2000.04.27
申请人 三菱电机株式会社;岸本产业株式会社 发明人 菅野至;村中诚志;山本博正
分类号 C11D7/32;H01L21/461 主分类号 C11D7/32
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 杨凯;叶恺东
主权项 1.一种清洗液,包含作为主要成分的缩合磷酸铵、作为辅助剂的尿素或尿素的变态成分和酸,其特征在于:氢离子浓度在10-4mol/l以上。
地址 日本东京都