| 发明名称 | 半导体器件中降低栅致漏极漏电流 | ||
| 摘要 | 减少金属氧化物半导体(MOS)器件中栅致漏极漏电流(GIDL)可以通过在非氧化环境下进行退火来实现。在一实例中,退火是在氩气和/或氨气环境下,在栅极侧壁氧化形成衬垫之后进行。 | ||
| 申请公布号 | CN1272223A | 申请公布日期 | 2000.11.01 |
| 申请号 | CN98809637.4 | 申请日期 | 1998.09.30 |
| 申请人 | 因芬尼昂技术股份公司;国际商业机器公司 | 发明人 | K·巴拉苏布拉曼亚姆;M·加尔;J·P·加姆比诺;J·A·曼德尔曼 |
| 分类号 | H01L21/336;H01L21/324 | 主分类号 | H01L21/336 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 梁永;王忠忠 |
| 主权项 | 1.构成随机访问存储电路的方法，包括形成支持器件的步骤有：提供一半导体衬底；在衬底表面形成栅极堆层；刻蚀栅极堆层形成栅极堆；氧化栅极堆的侧壁以形成衬垫；在非氧化环境中退火衬底以减少表面态，从而减少GIDL；选择性注入衬底在栅极邻近区域形成掺杂区。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||