全金属量子点单电子存储器

摘要

本发明公开了一种全金属量子点单电子存储器,它由两个相邻放置的无栅极单电子三极管(SET)组成,一个SET负责电学“写”,一个SET负责电学“读”,其中每个SET由电极、纳米量子点、电极组成的两个串联隧道结构成,两个SET的纳米量子点相隔纳米量级。本发明主要适用于集成电路、计算机等领域,以其为基本电路单元,可制作超大容量、超高速、低功耗存储器。与现有技术相比本发明可在绝缘基片上采用全金属材料制作出来,避免了对超高质量单晶硅的需求,可工作于直至绝对零度。

主权项

1、一种全金属量子点单电子存储器，它由电极(1)、(4)、(6)、(8)、纳米量子点(5)、(7)、导线(2)、(3)、(9)、(10)构成，其特征是电极(1)、电极(4)与纳米量子点(5)分别相隔纳米量级，构成一个无栅极SET，电极(6)、电极(8)与纳米量子点(7)分别相隔纳米量级，构成另外一个无栅极SET，这两个SET相邻放置，使得纳米量子点(5)与纳米量子点(7)相隔纳米量级。