低温回流介电－氟化硼磷硅玻璃

摘要

用低压CVD工艺在器件上制作掺氟硼磷硅玻璃(F－BPSG)的装置和方法。F－BPSG玻璃在具有窄达0.10μm的间隙和6∶1的形状比的结构的衬底上,表现为基本上无空洞和无颗粒的层。反应剂气体包括由硼和磷掺杂剂、氧、以及TEOS和FTES的混合物组成的源。在约为750—850℃的温度和1—3乇的压力下淀积。最好于相似的条件下退火,以进一步整平F－BPSG表面。还提供了F－BPSG玻璃和其上有掺氟BPSG层的半导体晶片。

主权项

1.一种在低压化学汽相淀积室中，在半导体晶片上制作掺氟的硼磷硅玻璃(F-BPSG)的方法，它包含下列步骤：在低压化学汽相淀积室中，于大约650-850℃的温度和大约0.5-5乇的压力下，混合并反应由TEOS、氟烷氧基硅烷、硼和磷掺杂剂以及氧源组成的气态源；在反应室中淀积的半导体衬底上，淀积掺氟的BPSG层；以及在低于大约800℃的温度下，使层叠的半导体器件回流一段有效的时间以整平淀积的层。