| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft eine Halbleiterspeicheranordnung, insbesondere einen DRAM, bei der für ausgefallene Speicherzellen, Wortleitungen und Bitleitungen mittels einer BIST-Recheneinheit (14) und eines speziellen Algorithmus redundante Speicherzellen, Bitleitungen und Wortleitungen ermittelt werden. <IMAGE></p> |
