Circuit for low current detection in a MOS power transistor

摘要

Es wird eine Schaltungsanordnung zur Unterstromerkennung an einem MOS-Leistungstransistor beschrieben, die sich insbesondere auszeichnet durch eine erste Schaltungseinheit zur Erzeugung eines Stromspiegels mit einem ersten Transistor (M1), mit der bei geringem Laststrom an dem Leistungstransistor (M2) die an diesem abfallende Spannung mit einer ersten Referenzspannung verglichen und bei Unterschreiten der ersten Referenzspannung ein Unterstromsignal erzeugt wird, sowie eine zweite Schaltungseinheit zur Begrenzung der Drainspannung des Leistungstransistors (M2) bei hohem Laststrom auf einen maximalen Wert. <IMAGE>