| 发明名称 | 半导体发光器件及其制造方法和制造透明导体膜的方法 | ||
| 摘要 | 一发光层提供在一基底上,一p－型半导体层(24)提供在发光层上。一上电极提供在p型半导体层(24)上。一上电极包括一与p型半导体层接触的Au薄膜(10a)和一形成于其上的n型透明导体层(10b)。n型透明导体膜(10b)是通过激光烧蚀来形成的。 | ||
| 申请公布号 | CN1271182A | 申请公布日期 | 2000.10.25 |
| 申请号 | CN00106758.3 | 申请日期 | 2000.04.14 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 中村孝夫;松原秀树 |
| 分类号 | H01L33/00 | 主分类号 | H01L33/00 |
| 代理机构 | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1.一种半导体发光器件，包括；一基底，其背面带有一n-型下电极；一发光层(4)，提供在上述基底上；一p-型半导体层(24)，提供在上述发光层上；和一上电极(10a，10b)，提供在上述p-型半导体层上，其中，上述上电极是一具有至少两个不同层的多层结构。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||