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经营范围
发明名称
Formation of thin film capacitors
摘要
<p>제 1 유연성 금속층, 그 위에 침착된 약 0.03 내지 약 2 마이크론의 유전층, 및 유전층 위에 침착된 제 2 유연성 금속층으로부터 박층 축전기를 형성한다. 제 1 유연성 금속층은 구리, 알루미늄, 또는 니켈 호일과 같은 금속 호일이거나, 폴리머성 지지체 시트상에 침착된 금속층일 수 있다. 이들 층은 연소 화학증착법 또는 제어된 분위기의 화학증착법에 의해 침착되거나 용이하게 침착된다.</p>
申请公布号
KR20000062163(A)
申请公布日期
2000.10.25
申请号
KR19990051164
申请日期
1999.11.17
申请人
发明人
分类号
H01G4/33;B82B1/00;H01G4/08;H05K1/16;H05K3/38;H05K3/46
主分类号
H01G4/33
代理机构
代理人
主权项
地址
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