| 发明名称 |
Method for fabricating silicon-on-insulator wafer |
| 摘要 |
Disclosed is a method for fabricating a silicon-on-insulator wafer, particularly to a cost reductive method.
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| 申请公布号 |
US6136666(A) |
申请公布日期 |
2000.10.24 |
| 申请号 |
US19980223601 |
申请日期 |
1998.12.30 |
| 申请人 |
HYUNDAI ELECTRONICS INDUSTRIES CO., LTD. |
发明人 |
SO, SANG MUN |
| 分类号 |
H01L21/31;H01L21/762;(IPC1-7):H01L21/30;H01L21/46 |
主分类号 |
H01L21/31 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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