有机半导体装置之钝化方法

摘要

钝化经定位在一支持基材上之有机装置的方法包括各个步骤:用介电材料的一片低温淀积之薄膜外覆该有机装置，及密封式接合一个无机层在该介电材料上以便实质上气密密封该有机装置。在一典型之具体实施例中，介电层是SiO２而无机层是一个金属罐。

主权项

1.一种密封有机发光装置之方法,其包括下列步骤:提供有机发光装置在一个支持之基材上;以一介电材料之薄膜外覆该有机发光装置,该介电材料之薄膜系以低于约300℃之温度而沈积;密封式接合一无机层在该介电材料上,以便实质上密封该有机发光装置。2.一种如申请专利范围第1项之密封有机发光装置之方法,其中该密封接合该无机层于该介电材料的步骤包括下列步骤:提供一金属罐;密封该金属罐在该介电材料薄膜上,以便实质上密封该有机发光装置,以及使用一焊料密封和一有机接合剂之一。3.一种如申请专利范围第1项之密封有机装置之方法,其中该密封接合该无机层于该介电材料的步骤包括下列步骤:提供一金属罐;密封接合该金属罐于该介电材料薄膜上,以便实质上密封该有机发光装置,以及在密封接合该金属罐之前沈积一层吸气材料于该介电材料薄膜上,以便实质上将该层吸气材料定位于该金属罐内。图式简单说明:第一图是有机发光二极体的简化之截面图;及第二图是说明依照本发明钝化的方法之有机发光二极体阵列的简化之截面图。