| 主权项 |
1.一种用于在产品中降低微生物位准之装置,其系包含:一入口管,其具有实质地均匀之横截面区域,该实质地均匀之横截面区域在一处理区之前延伸一至少进入该处理区内之距离;一实质尖顶形之电极鼻部,定位于该处理区之中;以及一外部电极,在该处理区之中形成该入口管之内部。2.如申请专利范围第1项之装置,其中该实质地均匀之横截面区域在该处理区之前延伸一至少两倍于该入口管之平均直径至少进入于该处理区内之距离。3.如申请专利范围第1项之装置,其更包括:一出口歧管,定位于该处理区之后,具有至少一辐射状出口,其系辐射状地延伸自该处理区之长轴。4.如申请专利范围第3项之装置,其中一绝缘体本体在该出口歧管内包封该内部电极。5.如申请专利范围第3项之装置,其更包括4个辐射状出口。6.如申请专利范围第1项之装置,其更包括一脉波式电场产生器。7.如申请专利范围第1项之装置,其更包括一脉波式电场产生器,该脉波式电场产生器系产生一具有电场强度至少每公分5000伏特之脉波式电场于该等电极之间。8.如申请专利范围第7项之装置,其中该脉波式电场具有不大于100微秒之脉波持续时间。9.如申请专利范围第8项之装置,其中该脉波式电场具有至少0.01微秒之脉波持续时间。10.如申请专利范围第1项之装置,其中该入口管之横截面系实质地圆形。11.如申请专利范围第1项之装置,其中通过该处理区之平均内径系小于该处理区之平均内径。12.一种用于降低产品中微生物数目之方法,其系包含下列步骤:流动该产品穿过一入口管,该入口管系实质地具均匀之横截面区域而在一处理区之前延伸一至少进入该处理区内之距离;流适该产品于一定位于该处理区之中之实质地尖顶形电极鼻部与一在该处理区中形成该入口管之内部的外部电极之间;以及在通过该处理区之期间施加至少一高强度电场脉波于该产品。13.如申请专利范围第12项之方法,其中流动该产品穿过该入口管含有流动该产品穿过实质地具均匀横截面区域而在该处理区之前延伸一至少两倍于该入口管之平均直径到至少进入该处理区内之距离的该入口管。14.如申请专利范围第12项之方法,其更包括:流入该产品于一定位在该处理区之后的出口歧管;以及流入该产品于辐射状地延伸自该处理区之纵轴之辐射状出口。15.如申请专利范围第14项之方法,其中施加该高强度电场脉波之步骤含有产生一具有至少每公分5000伏特之电场强度之脉波式电场于该等电极之间。16.如申请专利范围第15项之方法,其中施加该高强度电场脉波之步骤含有产生具有不大于100微秒之脉波持续时间之该脉波式电场。17.如申请专利范围第16项之方法,其中施加该高强度电场脉波之步骤含有产生具有至少0.01微秒之脉波持续时间之该脉波式电场。18.如申请专利范围第12项之方法,其中流动该产品穿过实质地均匀横截面之该入口管之步骤含有流动该产品穿过实质地圆形横截面之一入口管。19.如申请专利范围第12项之方法,其更包括经过该处理区流入该产品于一地区内,该地区具有一平均内径小于该处理区内之一平均内径。20.如申请专利范围第19项之方法,其中经过该处理区流入该产品于一地区内含有流入该产品于其中该绝缘体本体包封该内部电极之地区内。图式简单说明:第一图系习知技术之高强度电场处理系统之部分横截面视图;第二图系习知技术之另一高强度电场处理系统之部分横截面视图;第三图系根据本发明之高强度电场处理系统之横截面视图;第四图系第三图之处理系统之中心电极之部分横截面视图;第五图系第四图之中心电极之横截面视图;第六图系第三图之处理系统之中心绝缘物之横截面视图;第七图系第三图之处理系统之出口歧管之横截面视图;第八图系第七图之出口歧管之端视图;第九图系取沿着第三图处理系统之不同点处在垂直轴相对于横过在水平轴上电极间之缝隙(或处理区)之位置上用于15加仑/分钟的流速之流体产品速率之若干图形的重叠;第十图系第九图在该处理区更窄范围之位置上之少数之若干图形的重叠;第十一图系取沿着第三图处理系统之不同点处在垂直轴相对于横过在水平轴上电极间之处理区之位置上用于0.45加仑/分钟流速之流体产品速率之若干图形的重叠;第十二图系第十一图在该处理区更窄范围之位置上之少数之若干图形的重叠;第十三图系取沿着第三图处理系统之变化例不同点处在垂直轴相对于横过在水平轴上电极间之处理区之位置上用于15加仑/分钟流速之流体产品速率之若干图形的重叠;第十四图系第十三图在该处理区更窄范围之位置上之少数之若干图形的重叠;以及第十五图系取处理系统变化例之围绕纵轴之不同角度处之出口歧管在垂直相对于横过在水平轴上电极间之处理区之位置上之用于15加仑/分钟流速之若干图表之重叠。 |
