多层内连线半导体装置及其制造方法

摘要

一种多层内连线半导体装置具有HSQ(hydrogen silsesquioxane)膜，其系籍由氢氟酸蚀刻或藉由包含氟的杂质的离子植入而使其多孔化，其作为层间绝缘膜，用以填充配线之间的空隙。因此，HSQ的介电常数低且多层内连线的配线电容可以减少。

主权项

1. 一种多层内连线半导体装置,包含藉由氢氟酸蚀刻使其多孔化的HSQ膜作为层间绝缘膜,用以填充配线之间的空隙。2. 一种多层内连线半导体装置,包含藉由包含氟的杂质的离子植入使其多孔化的HSQ膜作为层间绝缘膜,用以填充配线之间的空隙。3. 如申请专利范围第2项所述之多层内连线半导体装置,其中该包含氟的杂质的离子植入系于10至30keV及110^|1^|4至310^|1^|5cm^|-^|2的条件下进行。4. 一种多层内连线半导体装置的制造方法,包含以下步骤:放上HSQ膜,用以填充配线配线之间的空隙;烘烤该HSQ膜;与进行包含氟的杂质的离子植入。5. 如申请专利范围第4项所述之多层内连线半导体装置的制造方法,其中该包含氟的杂质的离子植入系于10至30keV及110^|1^|4至310^|1^|5cm^|-^|2的条件下进行。