| 主权项 |
1. 一种半导体装置之制造方法,包含如下步骤:在导电材料上形成第一层间绝缘膜﹔在该第一层间绝缘膜中形成一接触孔﹔在该接触孔仍缺陷时于该第一层间绝缘膜上形成第二层间绝缘膜﹔于该第二层间绝缘膜上形成光阻膜,用作连线沟槽图案﹔以该光阻膜为光罩,蚀刻该第二层间绝缘膜,而于其中形成一连线沟槽,并蚀开由该第二层间绝缘膜所限定之接触孔﹔并将金属材料埋入该连线沟槽与该接触孔中以形成连线与接触点。2. 依据申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中,于形成该第一层间绝缘膜后,包含如下步骤:在第一层间绝缘膜上形成一蚀刻阻绝膜。3. 依据申请专利范围第2项之半导体装置之制造方法,其中,于相同光罩图案下,藉由不断蚀刻该阻绝膜与该第一层间绝缘膜以形成该接触孔。4. 依据申请专利范围第3项之半导体装置之制造方法,其中,该第一层间绝缘膜之蚀刻终点系由侦测该阻绝膜之蚀刻动作而测得。5. 依据申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中,系以由Ti与TiN组成之薄层以及钨薄膜作为埋入该接触孔与连线沟槽之金属材料。6. 一种半导体装置之制造方法,包含如下步骤:在导电材料上形成第一层间绝缘膜﹔在该第一层间绝缘膜上形成第一光阻膜﹔在该第一光阻上形成一接触孔图案﹔以该第一光阻膜为光罩,蚀刻该第一层间绝缘膜,而于其中形成一接触孔﹔在该接触孔仍缺陷时于该第一层间绝缘膜上形成第二层间绝缘膜﹔在该第二层间绝缘膜上形成第二光阻膜﹔在该第二光阻膜上形成连线沟槽图案﹔以该第二光阻膜为光罩,蚀刻该第二层间绝缘膜,而于其中形成一连线沟槽,并蚀开由该第二层间绝缘膜所限定之接触孔﹔并将金属材料埋入该连线沟槽与该接触孔中以形成连线与接触点。7. 依据申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中,在形成该第一层间绝缘膜与形成该第一光阻膜之间,包含如下步骤:在该第一层间绝缘膜上形成一阻绝膜。8. 依据申请专利范围第7项之半导体装置之制造方法,其中,以该第一光阻膜作为光罩,藉由不断蚀刻该阻绝膜与该第一层间绝缘膜以形成该接触孔。9. 依据申请专利范围第8项之半导体装置之制造方法,其中,该第一层间绝缘膜之蚀刻终点系由侦测该阻绝膜之蚀刻动作而测得。10. 依据申请专利范围第6项之半导体装置之制造方法,其中,系以由Ti与TiN组成之薄层以及钨薄膜作为埋入该接触孔与连线沟槽之金属材料。11. 依据申请专利范围第1项至第8项中任一项之半导体装置之制造方法,其中该第二层间绝缘膜系氧化矽膜。12. 依据申请专利范围第1项至第8项中任一项之半导体装置之制造方法,其中该第一层间绝缘膜系BPSG膜。 |
