发明名称 金属内连线的制造方法
摘要 一种金属内连线的制造方法,其作法系在基底上形成具有介层窗开口的介电层,其后,以溅镀法在介层窗开口中形成一层共形钛金属层,接着,以低温溅镀法,在摄氏 O度至200度之间,将铝矽铜合金层覆盖于钛金属层上,然后,再于摄氏380度至450度之间,以高温溅镀的方式将铝铜合金层填满介层窗开口,最后,再利用微影与蚀刻方式将介电层上表面的共形钛金属层、铝矽铜合金层与铝铜合金层之导线定义出来。
申请公布号 TW409356 申请公布日期 2000.10.21
申请号 TW088103736 申请日期 1999.03.11
申请人 联华电子股份有限公司 发明人 王建成;张士昌
分类号 H01L21/768 主分类号 H01L21/768
代理机构 代理人 詹铭文 台北巿罗斯福路二段一○○号七楼之一
主权项 1.一种金属内连线的制造方法,该方法包括下列步骤:于一基底上形成一介电层,该介电层中具有一介层窗开口,裸露出部分该基底;于该介层窗开口中形成一共形之湿层;以低温溅镀法,于该介层窗开口中形成一铝矽铜合金层;以及以高温溅镀法,于该铝矽铜合金层上形成一铝铜合金层,以填满该介层窗开口。2.如申请专利范围第1项所述之金属内连线的制造方法,其中该湿层包括溅镀法所形成之钛金属层。3.如申请专利范围第2项所述之金属内连线的制造方法,其中该铝矽铜合金层系于是摄氏0度至200度之间形成。4.如申请专利范围第3项所述之金属内连线的制造方法,其中该铝矽铜合金层之矽成分约为0.5%至1%,铜成分约0.4%至0.6%。5.如申请专利范围第3项所述之金属内连线的制造方法,其中该铝铜合金层系于摄氏380度至450度之间形成。6.如申请专利范围第5项所述之金属内连线的制造方法,其中该铝铜合金层之铜成分约为0.4%至0.6%。7.如申请专利范围第1项所述之金属内连线的制造方法,其中该铝矽铜合金层系于是摄氏0度至200度之间形成。8.如申请专利范围第7项所述之金属内连线的制造方法,其中该铝矽铜合金层之矽成分约为0.5%至1%,铜成分约为0.5至0.6%。9.如申请专利范围第7项所述之金属内连线的制造方法,其中该铝铜合金层系于摄氏380度至450度之间形成。10.如申请专利范围第9项所述之金属内连线的制造方法,其中该铝铜合金层之铜成分约为0.4%至0.6%。11.如申请专利范围第1项所述之金属内连线的制造方法,其中该铝铜合金层系于摄氏380度至450度之间形成。12.如申请专利范围第1项所述之金属内连线的制造方法,其中该铝铜合金层之铜成分约为0.4%至0.6%。13.如申请专利范围第1项所述之金属内连线的制造方法,更包括定义该介电层之上表面之该共形之钛金属层、该铝矽铜合金层与该铝铜合金层。14.一种接触窗的制造方法,该方法包括下列步骤:于一基底上形成一介电层,该介电层中具有一接触窗开口,裸露出部分该基底;于该接触窗开口中形成一共形之湿层;以低温溅镀法,于该接触窗开口中形成一铝矽铜合金层;以及以高温溅镀法,于该铝矽铜合金层上形成一铝铜合金层,以填满该接触窗开口。15.如申请专利范围第14项所述之接触窗的制造方法,其中该湿层包括溅镀法所形成之钛金属层。16.如申请专利范围第15项所述之接触窗的制造方法,其该铝矽铜合金层系于是摄氏0度至200度之间形成。17.如申请专利范围第16项所述之接触窗的制造方法,其中该铝铜合金层系于摄氏380度至450度之间形成。18.如申请专利范围第14项所述之接触窗的制造方法,其中该铝矽铜合金层系于是摄氏0度至200度之间形成。19.如申请专利范围第18项所述之接触窗的制造方法,其中该铝铜合金层系于摄氏380度至450度之间形成。20.如申请专利范围第14项所述之接触窗的制造方法,其中该铝铜合金层系于摄氏380度至450度之间形成。图式简单说明:第一图A至第一图B是习知一种金属内连线之制造流程的剖面示意图;以及第二图A至第二图D是依照本发明一较佳实施例之一种金属内连线之制造流程的剖面示意图。
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