| 主权项 |
1.一种用以在电浆中制程一基材之制程反应室,该制程反应室至少包含:(a)一用以支持基材的支架;(b)一用以将制程气体分配于该反应室内的气体分配器;(c)一用以由该制程气体形成一电浆的电浆产生器;(d)一围绕该基材的合成聚集环,该合成聚集环包含一具有一聚集表面以将电浆引导朝向基材的介电屏障,以及在该介电屏障内的导电元件,它是电子式充电的,以吸附电浆种类朝向介电屏障的聚集表面上,藉此而可减少在基材的制程期间,在聚集表面上所形成的沉积。2.如申请专利范围第1项所述之制程反应室,其中上述之导电元件与支架的一导电部份电接触,使得被施加于支架上的电荷可被传导到导电元件上。3.如申请专利范围第1项所述之制程反应室,其中上述之介电屏障包含一覆盖导电元件的介电材料层,该介电材料层的表面有一低阻抗,其低的足以允许导电元件经由该介电屏障与该电浆电耦合,且其有一高阻抗,该高阻抗足以防止在电浆和导电元件之间放电。4.如申请专利范围第3项所述之制程反应室,其中上述之介电屏障包含一以介电材料制成的U形项圈,其阻抗约由11011公分至约11020公分,和其中该导电元件包含一套含在该U形项圈内部的环形金属环。5.如申请专利范围第1项所述之制程反应室,其中上述之电浆产生器包含在基材上方的第一电极和在基材下方的第二电极,该第一和第二电极系彼此电子式偏压,以维持反应室内的电浆,和其中该导电元件系与第二电极电连接。6.一种用以在一制程反应室内于电浆内制程一基材的自清聚集环,该聚集环至少包含:(a)一介电屏障,其具有一连续地沿基材之四周延伸的聚集表面,以引导在制程反应室内的电浆朝向基材表面;和(b)一导电性元件,其至少与该介电屏障的一部份毗邻,该导电元件可以被电子式充电,以经由介电屏障与电浆电耦合,以吸附电浆向介电屏障的聚集表面移动,以减少在基材的制程期间在介电屏障上所形成的沉积。7.如申请专利范围第6项所述之聚集环,其中上述之导电元件与支架的一导电部份电接触,使得施加于该支架上的电荷可被传导到该导电元件上。8.如申请专利范围第6项所述之聚集环,其中上述之介电屏障包含一覆盖导电元件的介电材料层,该介电材料层的表面有一低阻抗,其低的足以允许导电元件经由该介电屏障与该电浆电耦合,且其有一高阻抗,该高阻抗足以防止在电浆和导电元件之间放电。9.如申请专利范围第8项所述之聚集环,其中上述之介电屏障包含一以介电材料制成的U形项圈,其阻抗约由11011公分至约11020公分,和其中该导电元件包含一套含在该U形项圈内部的环彩金属环。10.如申请专利范围第7项所述之聚集环,其中上述之电浆产生器包含在基材上方的第一电极和在基材下方的第二电极,该第一和第二电极系彼此电子式偏压,以维持反应室内的电浆,和其中该导电元件系与第二电极电连接。11.一种用以在电浆中制造一半导体基材之方法,该方法至少包含下列步骤:(a)将一支架上之基材放置于一电浆区域中;(b)将制程气体引入该电浆区域中,和自该制程气体产生一电浆;(c)以一介电聚集环的一聚集表面引导电浆朝向基材;和(d)充电与该介电聚集环毗邻的导电元件,使得电浆被吸附至和碰撞介电聚集环的聚集表面,以在基材的制程期间移除沉积于上的沉积物。12.如申请专利范围第11项所述之方法,其中上述之步骤(d)包含使该导电元件与支架的一导电部份电接触之步骤,使得施加于该支架上的电荷可被传导到该导电元件上。13.如申请专利范围第11项所述之方法,其中上述之步骤(b)包含电子式偏压该电浆区域内的一对电极之步骤,以维持电浆,和其中步骤(d)包含使导电元件与该电极之一电接触。14.如申请专利范围第11项所述之方法,其中上述之步骤(d)包含以一介电聚集环覆盖导电元件之步骤,该介电聚集环包含一介电材料层,该介电材料层的表面有一低阻抗,其低的足以允许导电元件经由该介电屏障与该电浆电耦合,且其有一高阻抗,该高阻抗足以防止在电浆和导电元件之间放电。图式简单说明:第一图为根据本发明之装置的一实施例之部分剖面示意图;第二图为本发明合成聚集环的一实施例之剖面示意图;和第三图为根据本发明之装置的另一实施例的部分剖面示意图。 |
