| 主权项 |
1.一种SOI结构矽晶圆之制造方法,包括: 植入氢离子于一表面具有一二氧化矽薄膜之矽晶 圆材表面,藉以形成一氢植入层; 连接一基底于该矽晶圆材表面; 加热该矽晶圆材,藉以使该矽晶圆材表面于该氢植 入层剥离;以及 将该矽晶圆材连接该基底部分在氢气中进行回火, 藉以使该矽晶圆因剥离曝露之表面平坦化 。2.如申请专利范围第1项所述SOI结构矽晶圆之制 造方法,其中,该回火步骤系在1050℃- 1350℃附近执行。3.如申请专利范围第1项所述SOI结 构矽晶圆之制造方法,其中,该回火步骤系在含氢 电浆中 执行。4.如申请专利范围第1项所述SOI结构矽晶圆 之制造方法,其中,该回火步骤系以快速热回火 执行。5.如申请专利范围第1.2.3或4项所述SOI结构 矽晶圆之制造方法,其中,该回火步骤系在 该剥离曝露之表面经化学机械研磨后执行。6.一 种SOI结构矽晶圆之制造方法,包括: 植入氢离子于一表面具有一二氧化矽薄膜之矽晶 圆材表面,藉以形成一氢植入层; 粘接一基底于该矽晶圆材表面; 加热该矽晶圆材以使该矽晶圆材于该氢植入层剥 离;以及 于该矽晶圆材剥离曝露表面进行磊晶矽成长,藉以 形成一新平坦表面。7.如申请专利范围第6项所述 SOI结构矽晶圆之制造方法,其中,该矽磊晶成长系 在800℃以 上之三氯矽烷、二氯矽烷、单氯矽烷、矽甲烷中 执行。8.一种SOI结构矽晶圆,以申请专利范围第1.2. 3.4.6.或7项所述之制造方法来制造。9.一种SOI结构 矽晶圆,以申请专利范围第5项所述之制造方法来 制造。图式简单说明: 第一图(a)至第一图(f)系本发明第一实施例SOI晶圆 之制程侧视图; 第二图系在氢气中对矽晶圆进行回火制程用之回 火熔炉; 第三图(a)至第三图(c)系矽晶圆表面矽原子之排列 过程; 第四图系本发明第二实施例中回火SOI晶圆之快速 回火装置; 第五图系本发明第三实施例中回火SOI晶圆之电浆 回火装置; 第六图系本发明第四实施例中回火SOI晶圆之矽磊 晶成长装置;以及 第七图系本发明第四实施例中SOI晶圆之侧视图。 |
