磷化镓绿色发光元件(一)

摘要

课题：提供具有极力减少闸流晶体管所引起发生电气特性不良的比率之构造之ＧaＰ绿色发光二极体，和／或掺氮ｎ型ＧaＰ层(ｎ２层)中Ｓ浓度与发光二极体亮度关系明确，改善亮度之ＧaＰ绿色发光元件。解决手段：在ｎ型ＧaＰ单晶基板上，至少依次积层不掺氮(Ｎ)的ｎ型ＧaＰ层，掺氮的n型ＧaＰ层和ｐ型ＧaＰ层，所构成磷化镓(Ｇaｐ)绿色发光元件中，令掺氮ｎ型ＧaＰ层中的碳(Ｃ)浓度在6x10^15cm^-3以下。选择图,无

主权项

1.一种磷化镓绿色发光元件,其为在n型GaP单晶基板上,至少依次层合不掺氮(N)n型GaP层,掺氮n型GaP层和p型GaP层所构成者,其特征为掺氮n型GaP层中的碳(C)浓度在61015cm-3以下。2.如申请专利范围第1项之磷化镓绿色发光元件,其中基板n型GaP层中之矽(Si)浓度为1sim21016cm-3。图式简单说明:第一图为GaP多晶中碳浓度与使用GaP多晶的Gap晶膜层中碳浓度之关系图;第二图(a)为习知GaP绿色发光二极体构造以及实施例1和比较例1所属GaP绿色发光二极体构造图;第二图(b)为习知GaP绿色发光二极体杂质浓度分布图;第三图(a)为形成闸流晶体管之元件构造图;第三图(b)为形成闸流晶体管之杂质浓度分布图;第四图为GaP绿色发光二极体的掺氮n型GaP层中S浓度与亮度关系图;第五图为GaP晶膜层成长用滑板式成长装置图;第六图为实施例2和3以及比较例2所属GaP绿色发光二极体构造图。