| 主权项 |
1.一种金属插塞的制造方法,包括下列步骤:提供一基底,在该基底上形成一介电层;定义该介电层,去除部分的该介电层,直至裸露出该基底,以在欲形成该金属插塞部分的该介电层中形成一开口;在该基底上,形成一共形的第一阻障层;以化学机械研磨法去除部分的该第一阻障层,直至裸露该介电层;形成一第二阻障层;在该第二阻障层上,形成一金属层,填满该开口;以及进行平坦化制程,直至裸露出该介电层。2.如申请专利范围第1项所述之金属插塞的制造方法,其中该介电层包括氧化矽层。3.如申请专利范围第1项所述之金属插塞的制造方法,其中该第一阻障层包括钛金属层。4.如申请专利范围第1项所述之金属插塞的制造方法,其中该第二阻障层包括氮化钛层。5.如申请专利范围第1项所述之金属插塞的制造方法,其中该金属层包括钨金属层。6.如申请专利范围第1项所述之金属插塞的制造方法,其中进行该平坦化制程的方法包括化学机械研磨法。7.如申请专利范围第1项所述之金属插塞的制造方法,其中进行该平坦化制程的方法包括钨回蚀法。8.一种金属插塞的制造方法,包括下列步骤:提供一基底,在该基底上形成一介电层;定义该介电层,去除部分的该介电层,直至裸露出该基底,以在欲形成该金属插塞部分的该介电层中形成一开口;在该基底上,形成一共形的第一阻障层;以溅击蚀刻法去除在该开口上端部分的该第一阻障层;在该第一阻障层上,形成一第二阻障层;在该第二阻障层上,形成一金属层,填满该开口;以及进行平坦化制程,直至裸露出该介电层。9.如申请专利范围第8项所述之制造方法,其中该介电层包括氧化矽层。10.如申请专利范围第8项所述之制造方法,其中该第一阻障层包括钛金属层。11.如申请专利范围第8项所述之制造方法,其中该第二阻障层包括氮化钛层。12.如申请专利范围第8项所述之制造方法,其中该金属层包括钨金属层。13.以申请专利范围第8项所述之制造方法,其中进行该平坦化制程的方法包括化学机械研磨法。14.如申请专利范围第8项所述之制造方法,其中进行该平坦化制程的方法包括钨回蚀法。15.一种金属插塞的制造方法,包括下列步骤:提供一基底,在该基底上形成一介电层;定义该介电层,去除部分的该介电层,直至裸露出该基底,以在欲形成该金属插塞部分的该介电层中形成一开口;在该基底上,形成一共形的第一阻障层;以溅击蚀刻法去除在该开口上端部分的该第一阻障层;在该第一阻障层上,形成一第二阻障层;以溅击蚀刻法去除在该开口上端部分的该第二阻障层;在该第二阻障层上,形成一金属层,填满该开口;以及进行平坦化制程,直至裸露出该介电层。16.如申请专利范围第15项所述之金属插塞的制造方法,其中该介电层包括氧化矽层。17.如申请专利范围第15项所述之金属插塞的制造方法,其中第一阻障层包括钛金属层。18.如申请专利范围第15项所述之金属插塞的制造方法,其中第二阻障层包括氮化钛层。19.如申请专利范围第15项所述之金属插塞的制造方法,其中该金属层包括钨金属层。20.如申请专利范围第15项所述之金属插塞的制造方法,其中进行该平坦化制程的方法包括化学机械研磨法。21.如申请专利范围第15项所述之金属插塞的制造方法,其中进行该平坦化制程的方法包括钨回蚀法。图式简单说明:第一图A至第一图D显示习知一种金属插塞之制造流程的剖面示意图;第二图A至第二图E显示本发明第一较佳实施例之一种金属插塞之制造流程的剖面示意图;第三图A至第三图E显示本发明第二较佳实施例之另一种金属插塞之制造流程的剖面示意图;以及第四图A至第四图F显示本发明第三较佳实施例之另一种金属插塞之制造流程的剖面示意图。 |
