| 主权项 |
1.一种静电放电保护装置之结构,此结构包括: 一闸极; 一汲极,位于该闸极之一侧; 一源极,位于该闸极之另一侧,其中该闸极、该汲 极与该源极组成一电晶体; 复数个隔离结构,该些隔离结构穿越该闸极,且该 些隔离结构将该汲极与该源极区分成复数 个导电区域;以及 复数个接触窗,连接于该闸极、该源极与该汲极。 2.如申请专利范围第1项所述之静电放电保护装置 之结构,其中位于该汲极的每一该些导电 区域中都具有该些接触窗之一。3.如申请专利范 围第1项所述之静电放电保护装置之结构,其中该 些隔离结构包括场氧化层 。4.如申请专利范围第1项所述之静电放电保护装 置之结构,其中该些隔离结构包括浅沟渠隔 离。5.如申请专利范围第1项所述之静电放电保护 装置之结构,其中,位于该源极与该闸极之该 些接触窗连接于一接地线与一电压线其中之一。6 .如申请专利范围第1项所述之静电放电保护装置 之结构,其中,位于该汲极之该些接触窗 连接于一晶片输入线。7.一种静电放电保护装置 之结构,此结构包括: 一闸极; 一汲极,位于该闸极之一侧; 一源极,位于该闸极之另一侧,其中该闸极、该汲 极与该源极组成一电晶体; 复数个隔离结构,该些隔离结构穿越该闸极,且 该些隔离结构突出于该汲极与该源极中;以及 复数个接触窗,连接于于该闸极、该源极与该汲极 。8.如申请专利范围第7项所述之静电放电保护装 置之结构,其中该些隔离结构包括场氧化层 。9.如申请专利范围第7项所述之静电放电保护装 置之结构,其中该些隔离结构包括浅沟渠隔 离。10.如申请专利范围第7项所述之静电放电保护 装置之结构,其中,位于该源极与该闸极之该 些接触窗连接于一接地线与一电压线其中之一。 11.如申请专利范围第7项所述之静电放电保护装置 之结构,其中,位于该汲极之该些接触窗 连接于一晶片输入线。图式简单说明: 第一图A与第一图B绘示习知二种静电放电保护电 路之示意图; 第一图C绘示习知一种静电放电保护电路中之电晶 体结构的上视图; 第二图绘示依照本发明之较佳实施例一种静电放 电保护电路中之电晶体结构的上视图; 以及 第三图绘示依照本发明之较佳实施例之另一种静 电放电保护电路中之电晶体结构的上视 图。 |
