| 摘要 |
<P>Un dispositif à semiconducteur comprend un transistor MIS pour le traitement de signal (Q2) formé dans une couche de silicium sur isolant et ayant une région de corps; et un moyen de changement de potentiel de la région de corps (1, 03) qui fait passer d'une première opération consistant à amener la région de corps du transistor MIS dans un état flottant, à une seconde opération consistant à déplacer le potentiel de la région de corps vers le potentiel d'une borne d'entrée du transistor MIS, dans des conditions temporelles définies par le retard d'un inverseur (1). Cette configuration permet d'améliorer les caractéristiques de commutation et de courant de sortie du transistor MIS.</P> |
