| 摘要 |
<p>Ein Dünnschicht-Halbleiter-Gassensor hat eine sensitive Schicht (1), deren elektrische Leitfähigkeit durch Kontakt bzw. Beaufschlagung mit einem Gas veränderbar ist. Durch Elektroden (2) wird die elektrische Leitfähigkeit der sensitiven Schicht (1) gemessen, um Gase nachzuweisen bzw. Gaskonzentrationen zu ermitteln. Eine poröse bzw. mit durchgehenden Löchern versehene, beheizbare Siliziummembran (3) ist der sensitiven Schicht (1) vorgeschaltet bzw. oberhalb der sensitiven Schicht (1) angeordnet. In der Siliziummembran (3) werden bestimmte Gasmoleküle chemisch bzw. katalytisch umgesetzt oder zu höheren Schwingungszuständen angeregt, bevor das Gas mit der sensitiven Schicht (1) in Kontakt gerät. Dadurch wird das Problem der Empfindlichkeitsverschiebung bei Sensoren mit dünnen gassensitiven Schichten überwunden. Moleküle, die mit dünnen sensitiven Schichten besonders stark oder besonders schwach reagieren, werden in solche umgewandelt, die eine nur geringe Reaktion bzw. eine verstärkte Reaktion an der sensitiven Schicht (1) hervorrufen.</p> |
