发明名称 |
用于减少金属线刻蚀后腐蚀的敷金属层刻蚀技术 |
摘要 |
一种减少从淀积于衬底上的敷金属层中刻蚀出的金属线垂直表面上的聚合物淀积的方法。包括在敷金属层上形成硬掩模层和在硬掩模层上提供光刻胶掩模。还包括用光刻胶掩模形成硬掩模层。硬掩模有在随后的等离子体增强敷金属层刻蚀中形成的金属线图案。也包括去光刻胶掩模。另外,包括用硬掩模和含Cl<SUB>2</SUB>和至少一种形成钝化的化学试剂的刻蚀剂源气进行等离子体增强敷金属层刻蚀,其中,等离子体增强敷金属层刻蚀不用光刻胶以减少在刻蚀中的聚合物淀积。 |
申请公布号 |
CN1270415A |
申请公布日期 |
2000.10.18 |
申请号 |
CN99118862.4 |
申请日期 |
1999.09.15 |
申请人 |
西门子公司 |
发明人 |
M·古特舍;P·斯特洛布尔;S·维格;E·吕肯;G·斯托雅克维克;B·斯普勒尔 |
分类号 |
H01L21/3213;H01L21/3065;H01L21/768 |
主分类号 |
H01L21/3213 |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
卢新华;王其灏 |
主权项 |
1.一种减少在从淀积于衬底上的敷金属层刻蚀出的金属线垂直表面上聚合物淀积的方法,包括:在所述的敷金属层上形成硬掩模层;在所述的硬掩模层上提供光刻胶掩模;用所述的光刻胶掩模从所述的硬掩模层中形成硬掩模,该硬掩模有图案,按该图案在随后的等离子体增强敷金属层刻蚀中形成所述的金属线;去掉所述的光刻胶掩模;和采用所述的硬掩模和包括Cl2和至少一种形成钝化的化学试剂的刻蚀剂源气进行所述的等离子体增强敷金属层刻蚀,其中所述的等离子体增强敷金属层刻蚀是在不用光刻胶下进行的,以在等离子体增强敷金属层刻蚀的过程中减少所述的聚合物淀积。 |
地址 |
联邦德国慕尼黑 |