发明名称 PROCESO PARA PREPARAR UNA PELíCULA DE DISELENIURO DE COBRE-INDIO-GALIO Y PROCESO PARA PREPARAR UNA PELíCULA PRECURSORA QUE CONTIENE GALIO PARA UN DISPOSITIVO FOTOVOLTAICO.
摘要 Se prepara una célula fotovoltaica que muestra una eficiencia de conversion total del 13,6%, a partir de una película delgada precursora de diseleniuro decobre-indio-galio. La película se fabrica primero electrodepositando simultáneamente cobre,indio, galio y selenio en un sustrato de vidrio/molibdeno (12/14). La tension de electrodeposito es una tension de corriente alterna de alta frecuencia superpuesta sobre una tension de corriente contínuapara mejorar la morfología e índice d ecrecimiento de la película. El electrodeposito va seguido por el deposito en fase de vapor físico para ajustarla estequiometría final de la película delgada a aproximadamente CU(In1-xGax) Se2, con una relacion de Ga/(IN+Ga) de aproximad amente0,39.
申请公布号 AR012478(A1) 申请公布日期 2000.10.18
申请号 AR1998P101815 申请日期 1998.04.20
申请人 DAVIS, JOSEPH & NEGLEY 发明人
分类号 (IPC1-7):H01L21/363;H01L31/032;C23C28/02 主分类号 (IPC1-7):H01L21/363
代理机构 代理人
主权项
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