| 发明名称 | 半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 在一种制造半导体器件的方法中,在半导体晶片的正面上形成具有电路的多个芯片形成区的步骤后,且在各芯片形成区上形成凸点电极的步骤前,提供在半导体晶片的背面侧上对应于各芯片形成区的区域中形成识别标记的步骤。 | ||
| 申请公布号 | CN1270416A | 申请公布日期 | 2000.10.18 |
| 申请号 | CN00104993.3 | 申请日期 | 2000.04.07 |
| 申请人 | 株式会社日立制作所 | 发明人 | 宫本俊夫;田中英树;西村朝雄 |
| 分类号 | H01L21/48;H01L21/60;H01L23/544 | 主分类号 | H01L21/48 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体器件的方法，在半导体晶片的正面上形成具有电路的多个芯片形成区的步骤后，且在所说各芯片形成区上形成凸点电极的步骤前，包括在所说半导体晶片的背面侧上对应于所说各芯片形成区的区域中形成识别标记的步骤。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||