| 发明名称 |
METHOD TO INHIBIT THE FORMATION OF ION IMPLANTATION INDUCED EDGE DEFECTS |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
KR100270265(B1) |
申请公布日期 |
2000.10.16 |
| 申请号 |
KR19970016101 |
申请日期 |
1997.04.29 |
| 申请人 |
UNITED MICROELECTRONICS CORP. |
发明人 |
HSIEH, YONG-FEN |
| 分类号 |
H01L21/265;(IPC1-7):H01L21/265 |
主分类号 |
H01L21/265 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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