Verfahren zur Herstellung einer SOI-Transistor-DRAM,申请号DE19936029376-传众专利搜索

发明名称	Verfahren zur Herstellung einer SOI-Transistor-DRAM
摘要
申请公布号	DE69329376(D1)	申请公布日期	2000.10.12
申请号	DE19936029376	申请日期	1993.12.23
申请人	SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD., SUWON	发明人	PARK, KYUCHARN;LEE, YESEUNG;BAN, CHEONSU;LEE, KYUNGWOOK
分类号	H01L27/10;H01L21/8242;H01L23/52;H01L27/108;H01L27/12;(IPC1-7):H01L27/108;H01L21/82	主分类号	H01L27/10
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